GB/T 12604.10-2023無損檢測術(shù)語第10部分：磁記憶檢測

ICS19100

CCSJ0.4

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1260410—2023

.

代替GB/T12604.10—2011

無損檢測術(shù)語第10部分磁記憶檢測

:

Non-destructivetestin—Terminolo—Part10Maneticmemortestin

ggy:gyg

2023-05-23發(fā)布2023-05-23實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T1260410—2023

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

附錄資料性本文件刪除的術(shù)語

A()GB/T12604.10—2011………10

附錄資料性本文件與相比增加的術(shù)語

B()GB/T12604.10—2011…………………11

附錄資料性本文件與相比修改的術(shù)語

C()GB/T12604.10—2011…………………12

參考文獻(xiàn)

……………………13

索引

…………………………14

圖磁記憶信號平面顯示圖

1………………5

圖磁記憶信號時(shí)基顯示圖

2………………6

圖磁記憶信號掃描顯示圖

3A…………7

圖磁記憶信號極坐標(biāo)顯示圖

4……………7

圖磁記憶信號色斑顯示圖

5………………8

圖磁記憶信號三維顯示圖

6………………9

圖磁記憶信號管狀顯示圖

7………………9

表本文件刪除的術(shù)語

A.1GB/T12604.10—2011……………………10

表本文件與相比增加的術(shù)語

B.1GB/T12604.10—2011……………11

表本文件與相比修改的術(shù)語

C.1GB/T12604.10—2011……………12

Ⅰ

GB/T1260410—2023

.

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是無損檢測術(shù)語的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

GB/T12604《》10。GB/T12604:

無損檢測術(shù)語超聲檢測

———GB/T12604.1;

無損檢測術(shù)語射線照相檢測

———GB/T12604.2;

無損檢測術(shù)語滲透檢測

———GB/T12604.3;

無損檢測術(shù)語聲發(fā)射檢測

———GB/T12604.4;

無損檢測術(shù)語磁粉檢測

———GB/T12604.5;

無損檢測術(shù)語渦流檢測

———GB/T12604.6;

無損檢測術(shù)語泄漏檢測

———GB/T12604.7;

無損檢測術(shù)語中子檢測

———GB/T12604.8;

無損檢測術(shù)語紅外熱成像

———GB/T12604.9;

無損檢測術(shù)語第部分磁記憶檢測

———GB/T12604.1010:;

無損檢測術(shù)語射線數(shù)字成像檢測

———GB/T12604.11X;

無損檢測術(shù)語第部分工業(yè)射線計(jì)算機(jī)層析成像檢測

———GB/T12604.1212:;

無損檢測術(shù)語第部分陣列超聲檢測

———GB/T12604.1313:。

本文件代替無損檢測術(shù)語磁記憶檢測與相

GB/T12604.10—2011《》,GB/T12604.10—2011

比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,,:

刪除了部分術(shù)語見附錄

a)(A);

增加了部分術(shù)語見附錄

b)(B);

更改了部分術(shù)語見附錄

c)(C)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國無損檢測標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC56)。

本文件起草單位愛德森廈門電子有限公司上海材料研究所有限公司中國特種設(shè)備檢測研究

:()、、

院中國科學(xué)院金屬研究所國家能源集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院南昌航空大學(xué)中國鐵道科學(xué)研究院集團(tuán)

、、、、

有限公司金屬及化學(xué)研究所中國人民解放軍陸軍裝甲兵學(xué)院清華大學(xué)廈門大學(xué)

、、、。

本文件主要起草人林俊明沈功田蔡桂喜胡先龍丁杰宋凱董世運(yùn)黃松嶺黃鳳英曾志偉

:、、、、、、、、、、

胡斌戴永紅

、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2011,。

Ⅲ

GB/T1260410—2023

.

引言

無損檢測技術(shù)是人類工業(yè)化和社會發(fā)展不可或缺的重要工具是產(chǎn)品質(zhì)量控制和保障設(shè)備設(shè)施安

,

全運(yùn)行的主要手段其同時(shí)也對生產(chǎn)工藝進(jìn)行反饋無損檢測利用物質(zhì)的熱力聲光電和磁等特

,。、、、、

性以不損害預(yù)期使用性能和可靠性的方式探測定位和測量材料與零部件中的缺陷或異常評價(jià)其性

,,、,

能組織和完整性無損檢測的應(yīng)用涵蓋機(jī)械制造化工醫(yī)藥醫(yī)療能源交通冶金建筑水利海洋

、。、、、、、、、、

工程兵器航空航天核工業(yè)衛(wèi)生食品走私與反恐和公共安全等領(lǐng)域

、、、、、、。

無損檢測的方法和技術(shù)眾多應(yīng)用對象廣泛建立無損檢測各個(gè)方法和技術(shù)的基礎(chǔ)通用的術(shù)語是

,。,

國內(nèi)外各類無損檢測標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)開展無損檢測標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的首要任務(wù)無損檢測術(shù)

。GB/T12604《

語是指導(dǎo)我國無損檢測標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的基礎(chǔ)性和通用性標(biāo)準(zhǔn)無損檢測術(shù)語旨在確立

》。GB/T12604《》

普遍適用于無損檢測標(biāo)準(zhǔn)化文件的術(shù)語由十三個(gè)部分構(gòu)成

,。

無損檢測術(shù)語超聲檢測目的在于界定了超聲檢測的術(shù)語

———GB/T12604.1。。

無損檢測術(shù)語射線照相檢測目的在于界定了射線照相檢測的術(shù)語

———GB/T12604.2。。

無損檢測術(shù)語滲透檢測目的在于界定了滲透檢測的術(shù)語

———GB/T12604.3。。

無損檢測術(shù)語聲發(fā)射檢測目的在于界定了聲發(fā)射檢測的術(shù)語

———GB/T12604.4。。

無損檢測術(shù)語磁粉檢測目的在于界定了磁粉檢測的術(shù)語

———GB/T12604.5。。

無損檢測術(shù)語渦流檢測目的在于界定了渦流檢測的術(shù)語

———GB/T12604.6。。

無損檢測術(shù)語泄漏檢測目的在于界定了泄漏檢測的術(shù)語

———GB/T12604.7。。

無損檢測術(shù)語中子檢測目的在于界定了中子檢測的術(shù)語

———GB/T12604.8。。

無損檢測術(shù)語紅外熱成像目的在于界定了紅外熱成像的術(shù)語

———GB/T12604.9。。

無損檢測術(shù)語第部分磁記憶檢測目的在于界定了磁記憶檢測的

———GB/T12604.1010:。

術(shù)語

。

無損檢測術(shù)語射線數(shù)字成像檢測目的在于界定了射線數(shù)字成像

———GB/T12604.11X。X

檢測的術(shù)語

。

無損檢測術(shù)語第部分工業(yè)射線計(jì)算機(jī)層析成像檢測目的在于界

———GB/T12604.1212:。

定了工業(yè)射線計(jì)算機(jī)層析成像檢測的術(shù)語

。

無損檢測術(shù)語第部分陣列超聲檢測目的在于界定了陣列超聲檢

———GB/T12604.1313:。

測的術(shù)語

。

本文件是的第部分分別從通用原理方法儀器傳感器測量及應(yīng)用等方面對磁

GB/T1260410,、、、、

記憶檢測術(shù)語進(jìn)行定義本次對的修訂重點(diǎn)考慮了磁記憶檢測涵蓋的原理儀器傳

。GB/T12604.10,、、

感器檢測工藝和方法等明確了相關(guān)常用的術(shù)語和定義使得在制定磁記憶檢測方法和產(chǎn)品文件時(shí)有

、,,

據(jù)可依從而發(fā)揮術(shù)語文件的基本通用的支撐功能更好地促進(jìn)無損檢測貿(mào)易交流以及技術(shù)合作

,,、。

Ⅳ

GB/T1260410—2023

.

無損檢測術(shù)語第10部分磁記憶檢測

:

1范圍

本文件界定了用于金屬磁記憶檢測的術(shù)語

。

本文件適用于金屬磁記憶檢測

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語和定義

31

.

金屬磁記憶metalmagneticmemoryMMM

;

鐵磁性物體經(jīng)歷磁場變化和磁機(jī)械效應(yīng)積累作用后的磁狀態(tài)

-。

注對于給定的磁場例如地磁場在其制造過程或運(yùn)行過程中形成的鐵磁物體由于影響磁疇分布的各種

:(),,(3.21)

環(huán)境因素改變了其剩余磁化強(qiáng)度例如溫度機(jī)械載荷或材料的微觀結(jié)構(gòu)變化

,(:、)。

來源

[:GB/T26641—2021,3.1]

32

.

表面磁場magneticstrayfieldSF

;

離開或進(jìn)入零件表面且非有意磁化該零件的磁場

。

注1鐵磁材料在其自身體積和周圍空間中產(chǎn)生磁場材料本身的磁化分布所產(chǎn)生的場稱為表面磁場或其內(nèi)的退

:。

磁場退磁場和表面磁場是幾何相關(guān)的當(dāng)磁化強(qiáng)度不均勻或具有與外部或內(nèi)部表面法向