2022晶圓減薄劃片技術規(guī)范

晶圓減薄劃片技術規(guī)范PAGEPAGE1晶圓減薄劃片技術規(guī)范范圍本文件規(guī)定了晶圓減薄劃片技術規(guī)范的基本要求、工藝、質(zhì)量要求、維護及安全。規(guī)范性引用文件（包括所有的修改單適用于本文件。GB2894安全標志及其使用導則GB13495.1消防安全標志第1部分：標志GB15630消防安全標志設置要求術語和定義下列術語和定義適用于本文件。減薄grinding通過研磨工藝將晶圓由厚變薄的過程。3.2劃片sawing通過切割工藝將大片晶圓分割為小片的過程。基本要求環(huán)境條件作業(yè)環(huán)境應滿足設備的工作要求。人員要求作業(yè)人員應經(jīng)培訓合格后上崗。作業(yè)人員應定期進行安全教育和操作技能培訓。作業(yè)人員應掌握晶圓減薄劃片的基本原理、工藝流程、結(jié)構(gòu)性能等理論知識和安全操作技能，具備突發(fā)事件應急處置能力。設備、工具及物料要求應配備基本的作業(yè)設備，如貼膜機、研磨機、切割機、高倍顯微鏡、測厚儀等。工藝工藝流程減薄劃片工藝流程見圖1。圖1 減薄劃片工藝流程工藝要求減薄工藝應符合以下要求：核對流程單上晶圓的型號、批號、數(shù)量與實際晶圓是否相符；將晶圓置于貼膜機的平臺上，貼正面保護膜；將貼好正面保護膜的晶圓放置于儲存盒中；啟動研磨機，進行調(diào)試；將晶圓置從儲存盒中取出，檢驗貼膜；將晶圓置于研磨機中，開始研磨減??；檢驗。劃片工藝應符合以下要求：5.2.1將晶圓置于切割機上進行切割；檢驗。工藝過程要求減薄工藝過程要求貼膜完成后，應檢查貼膜有無異物顆粒、氣泡等異常，確認無異常后，方可進入下道工序。研磨速度應均勻，根據(jù)晶圓厚度來調(diào)整研磨時間。研磨過程中，研磨速度不應過快。劃片工藝要求長時間連續(xù)劃片時，一段后應及時對刀片進行降溫處理，以防晶圓被切壞。劃片過程中，刀片速度不應過快，以防晶圓被切壞。70°～80°劃片完成后，應小心取出晶圓，保證每片都應粘貼在保護膜上。質(zhì)量要求減薄質(zhì)量要求減薄質(zhì)量應符合表1的要求。表1 減薄質(zhì)量要求項目要求厚度（d），md±10背面燒焦不允許背面臟污不允許有粉末堆積、手指印裂片、碎片不允許膜膠殘留不允許劃片質(zhì)量要求劃片質(zhì)量應符合表2的要求。表2 劃片質(zhì)量要求項目要求漏切、刮傷、切痕淺、切破、切偏不允許崩邊背面崩邊，m＜50正面崩邊，m＜5側(cè)面崩邊，m＜1/3d裂紋長度，m＜100寬度，m＜50暗裂不允許檢驗方法厚度使用測厚儀進行檢驗。崩邊、裂紋在高倍顯微鏡下使用千分尺進行檢驗。其他項目采用目視方法檢驗，可使用高倍顯微鏡輔助檢驗。維護及安全研磨機、切割機應定期檢查維護，保證設備處于完好狀態(tài)。