晶體管工作原理

1、2.1晶體管也稱為半導體晶體管(晶體管)，是最重要的半導體器件之一，通過放大作用和開關作用促進了電子技術的飛躍。2基于晶體管和放大電路，晶體管圖解，2.1.1晶體管結構，1 .NPN晶體管結構圖和符號，(2)根據(jù)使用的半導體材料分為：硅管和鍺管，(1)根據(jù)結構， NPN和PNP類型，晶體管的主要類型，發(fā)射區(qū)，集電極區(qū)，基底區(qū)，發(fā)射極E(e)，集電極CPNP晶體管結構圖和符號，(1)發(fā)射面積小，摻雜濃度高。3 .晶體管的內(nèi)部結構特性(具有放大作用的內(nèi)部條件)、平面晶體管結構圖、(2)集電極面積大。(3)基本摻雜濃度很低，很薄。2.1.2晶體管的工作原理(以NPN型管為例)，根據(jù)兩個PN接頭的偏置

2、情況，放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)、截止狀態(tài)、反轉狀態(tài)、1發(fā)射接頭正向偏置、集合反向偏置放大狀態(tài)、電路圖、電路圖、電路圖、(1)因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大于基極濃度，而共點電流可以忽略?；叵虬l(fā)射區(qū)擴散空腔，發(fā)射區(qū)向基地擴散電子，c .基地電子的擴散和復合，不平衡的子項在基地復合形成基流IB，不平衡的子項擴散到集合，不平衡的子項到達集合，d .收集器區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散的電子，形成發(fā)射極電流IC，子漂移形成反向飽和電流，底座是兩個電路的共用端點，稱為共用基準連接。輸入電路、輸出電路、定義、通用基準直流電流放大系數(shù)、每個電極電流之間的關系、IE=IC IB、晶體管通用極連接、原理圖、示意圖、定義、通用極直流電流

3、放大系數(shù)、UCEUCB、集電極接頭正偏置、發(fā)射接頭偏置，每個電極電流之間的關系ICEO稱為滲透電流，通常為uba0，IC 0，IE 0，輸入電路電壓，U BE=UBE UBE I b=IB，I c=IC，I e=ie，uba0，ui IBICicrc，B. AC信號傳遞過程包括2發(fā)射連接正向偏移、收集器連接正向偏移飽和、(2) IC bIB，IB失去IC控制。(1) UCEUBE，收集器節(jié)點正向偏移。飽和特性，(3)集電極飽和電壓降UCES小，低功耗硅管為0.30.5V。(5) UCE對IC有很大影響，當UCE增加時，IC會增加。(4)飽和時的集電極電流，(2) IC=ICBO，3發(fā)射接頭反向

4、偏移，集電極接頭反向偏移截止狀態(tài)，截止狀態(tài)的特性，(1)發(fā)射接頭偏移，(3) IB=ICBO，4發(fā)射接頭反向偏移，(2)如果uBE保持不變，并且uCE從0增加，則iB減少。輸入特性的特性，(3)在uCE1V中，輸入特性曲線幾乎匹配。也就是說，uCE對輸入特性的影響很小。，雙球輸出特性，輸出特性曲線，飽和區(qū)域，截止區(qū)域，放大區(qū)域，每個區(qū)域的特性，(1)飽和區(qū)域，a. UCEUBE，b. ICIB，c. UCE增量，IC增量，飽和區(qū)域，(3直流參數(shù)，(3)集電極基間反向飽和電流ICBO，(1)共同基準直流電流放大系數(shù)，(2)共同極直流電流放大系數(shù)，(4)集電極發(fā)射臺之間的反向飽和電流ICEO，2。交流參數(shù)，(1)公用基極交流電流放大系數(shù)，與iC的關系曲線值，(2)施工極交流電流放大系數(shù)，3 .極限參數(shù)，(4)收集器最大允許電流ICM，(1)收集器打開時發(fā)射極基礎間反向擊穿電壓U(BR)EBO，(2)發(fā)射極打開時收集器基礎間反向擊穿電壓U(BR)EBO，(3)收集器發(fā)射極之間，考試問題，2 .如何使用萬用表確定晶體管的類