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文檔簡(jiǎn)介
1、光電技術(shù)應(yīng)用及發(fā)展前景43年前,世界上第一臺(tái)紅寶石激光器誕生。那是的人們可能還沒(méi)有意識(shí)到,由這臺(tái)激光器引發(fā)、孕育出的光電技術(shù)將會(huì)給人類(lèi)的生活帶來(lái)翻天覆地的變化。隨著光電子技術(shù)的發(fā)展,當(dāng)今社會(huì)正在從工業(yè)社會(huì)向信息社會(huì)過(guò)渡,國(guó)民經(jīng)濟(jì)和人們生活對(duì)信息的需求和依賴(lài)急劇增長(zhǎng),不僅要求信息的時(shí)效好、數(shù)量大,并且要求質(zhì)量高、成本低。在這個(gè)社會(huì)大變革時(shí)期,光電子技術(shù)已經(jīng)滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)的每個(gè)方面,成為信息社會(huì)的支柱技術(shù)之一??傊怆娮蛹夹g(shù)具有許多優(yōu)異的性能特征,這使得它具有很大的實(shí)用價(jià)值。而今天,光電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為了21世紀(jì)的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一,光電子產(chǎn)業(yè)的參天大樹(shù)上也結(jié)出了豐富的果實(shí),它們包括但不限于光通信、光顯
2、示、光存儲(chǔ)、影像、光信號(hào)、太陽(yáng)能電池等,也可以簡(jiǎn)單地把現(xiàn)在的光電子產(chǎn)業(yè)分為信息光電子(光纖光纜、光通訊設(shè)備等)、能量光電子(激光器、激光加工成套設(shè)備、測(cè)控儀表、激光醫(yī)療設(shè)備等)和娛樂(lè)光電子(VCD、DVD等)等方面。而本文將介紹光電子技術(shù)在以下幾個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用前景:光通信:目前,光通信網(wǎng)絡(luò)行業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展期,以光纖為技術(shù)基礎(chǔ)的網(wǎng)絡(luò)通信現(xiàn)在已經(jīng)覆蓋了許多地區(qū),我國(guó)的光通信技術(shù)也走在世界前沿。2011年,武漢郵科院在北京宣布完成“單光源1-Tbit/s LDPC 碼相干光OFDM 1040公里傳輸技術(shù)與系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)”,這一傳輸速率是目前國(guó)內(nèi)商用最快速率(40Gb/s)的25倍。十年發(fā)展,光通信商用水平的
3、最高單通道速率增長(zhǎng)16倍,最大傳輸容量增長(zhǎng)160倍。2005年,郵科院實(shí)現(xiàn)了全球率先實(shí)現(xiàn)在一對(duì)光纖上4000萬(wàn)對(duì)人同時(shí)雙向通話。2011年7月29日,該院在全球率先實(shí)現(xiàn)一根光纖承載30.7Tb/s信號(hào)的傳輸,可供5億人同時(shí)在一根光纖上通話,再次刷新了世界紀(jì)錄。而正在研制中的科技開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,有望在2014年實(shí)現(xiàn)12.5億對(duì)人同時(shí)通話。這一技術(shù)打破了美國(guó)在該領(lǐng)域保持的單光源傳輸世界紀(jì)錄。在2012年的中國(guó)光博會(huì)上,新技術(shù)新產(chǎn)品層出不窮。隨著“寬帶中國(guó)”上升為國(guó)家戰(zhàn)略,中國(guó)得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)將使光通信制造企業(yè)信心十足。通過(guò)對(duì)各技術(shù)分支專(zhuān)利的分析看出,光傳輸物理層PHY和光核心網(wǎng)OCN已相對(duì)成熟和大規(guī)模商用
4、,PHY作為各類(lèi)網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)的基礎(chǔ),既有相對(duì)成熟、淡出主流研究視野的部分,也有業(yè)界正致力于尋求最佳方案的技術(shù)點(diǎn);無(wú)光源網(wǎng)絡(luò)PON技術(shù)作為世界普遍應(yīng)用的接入網(wǎng)技術(shù),在“光纖到戶(hù)”、“三網(wǎng)融合”等概念家喻戶(hù)曉的今天,已成為各國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)投資中不可或缺的一部分;分組傳輸網(wǎng)PTN既是新興技術(shù),又得到了相對(duì)廣泛的商用,其在移動(dòng)回傳中的應(yīng)用使其成為下一代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中的一種較優(yōu)的可選方案,同時(shí)相應(yīng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正在爭(zhēng)議中發(fā)展,其技術(shù)發(fā)展將帶來(lái)難以估量的商機(jī);智能交換光網(wǎng)絡(luò)ASON技術(shù)和全光網(wǎng)AON技術(shù)是光通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)中的前沿技術(shù),目前處于研發(fā)的活躍期。此外,復(fù)旦大學(xué)近期研發(fā)的可見(jiàn)光通訊技術(shù)也是光通信的發(fā)展
5、前景之一,通過(guò)給普通的LED燈泡加裝微芯片,使燈泡以極快的速度閃爍,就可以利用 燈泡發(fā)送數(shù)據(jù)。而燈泡的閃爍頻率達(dá)到每秒數(shù)百萬(wàn)次。通過(guò)這種方式,LED燈泡可以快速傳輸二進(jìn)制編碼。但對(duì)裸眼來(lái)說(shuō),這樣的 閃爍是不可見(jiàn)的,只有光敏接收器才能探測(cè)。這類(lèi)似于通過(guò)火炬發(fā)送莫爾斯碼, 但速度更快,并使用了計(jì)算機(jī)能理解的字母表。 使用標(biāo)準(zhǔn)的LED照明燈,哈斯與他的同事戈登波維創(chuàng)建的研究小組已經(jīng)達(dá) 到了兩米距離的130兆比特每秒的傳輸速度。 隨著白熾燈、熒光燈逐漸退出市場(chǎng)并被LED取代,未來(lái)任何有光的地方都可 以成為潛在的LiFi數(shù)據(jù)傳輸源。 想象一下這樣的場(chǎng)景:在街頭,利用路燈就可以下載電影;在家里,打開(kāi)臺(tái) 燈
6、就可以下載歌曲;在餐廳,坐在有4燈光的地方就可以發(fā)微博;即便是在水下, 只要有燈光照射就可以上網(wǎng)。 LiFi另一個(gè)巨大的好處是在任何對(duì)無(wú)線電敏感的場(chǎng)合都可以使用,比如飛機(jī)上、手術(shù)室里等。光顯示:近年來(lái),人們對(duì)顯示產(chǎn)品高清、輕薄、節(jié)能的需求不斷深化,顯示領(lǐng)域新技術(shù)不斷涌現(xiàn),帶動(dòng)顯示產(chǎn)業(yè)高速增長(zhǎng),已成為國(guó)家科技創(chuàng)新的重點(diǎn)領(lǐng)域和國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱產(chǎn)業(yè)。目前,液晶如日中天,有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)蓄勢(shì)待發(fā)。OLED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具半導(dǎo)體特性之銦錫氧化物(ITO),與電力之正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極,包成如三明治的結(jié)構(gòu)。整個(gè)結(jié)構(gòu)層中包括了:空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(
7、ETL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí),正極空穴與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合,產(chǎn)生光亮,依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色,構(gòu)成基本色彩。OLED的特性是自己發(fā)光,不像TFT LCD需要背光,因此可視度和亮度均高,其次是電壓需求低且省電效率高,加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄,構(gòu)造簡(jiǎn)單,成本低等,被視為 21世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。有機(jī)發(fā)光二極體的發(fā)光原理和無(wú)機(jī)發(fā)光二極體相似。當(dāng)元件受到直流電(Direct Current;DC)所衍生的順向偏壓時(shí),外加之電壓能量將驅(qū)動(dòng)電子(Electron)與空穴(Hole)分別由陰極與陽(yáng)極注入元件,當(dāng)兩者在傳導(dǎo)中相遇、結(jié)合,即形成所謂的電子-空穴復(fù)合(Electr
8、on-Hole Capture)。而當(dāng)化學(xué)分子受到外來(lái)能量激發(fā)後,若電子自旋(Electron Spin)和基態(tài)電子成對(duì),則為單重態(tài)(Singlet),其所釋放的光為所謂的熒光(Fluorescence);反之,若激發(fā)態(tài)電子和基態(tài)電子自旋不成對(duì)且平行,則稱(chēng)為三重態(tài)(Triplet),其所釋放的光為所謂的磷光(Phosphorescence)。當(dāng)電子的狀態(tài)位置由激態(tài)高能階回到穩(wěn)態(tài)低能階時(shí),其能量將分別以光子(Light Emission)或熱能(Heat Dissipation)的方式放出,其中光子的部分可被利用當(dāng)做顯示功能;然有機(jī)熒光材料在室溫下并無(wú)法觀測(cè)到三重態(tài)的磷光,故PM-OLED元件發(fā)
9、光效率之理論極限值僅25%。很多手機(jī)廠商使用OLED技術(shù)研發(fā)出了可彎曲的AMOLED屏幕,2013年1月,LG電子在CES上全球首次發(fā)布LG曲面OLED電視,這表明全球進(jìn)入了大尺寸OLED時(shí)代。9月13日,LG電子在北京召開(kāi)電視新品發(fā)布會(huì),推出中國(guó)第一款LG曲面OLED電視LG55EA9800-CA,這標(biāo)志著中國(guó)的OLED電視時(shí)代正式來(lái)臨。據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng),2013年全球OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)電視機(jī)出貨量將從2007年的3000臺(tái)增長(zhǎng)到280萬(wàn)臺(tái),復(fù)合年增長(zhǎng)率為212.3%。從全球銷(xiāo)售收入看,2013年全球OLED電視機(jī)的銷(xiāo)售收入將從2007年的200萬(wàn)美元
10、增長(zhǎng)到14億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為206.8%。iSuppli稱(chēng),OLED顯示技術(shù)要對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生真正的影響還需要克服一些挑戰(zhàn)。首先,AMOLED顯示屏制造工藝還不充分。隨著顯示屏尺寸的加大,成品率損失和制造損失也越來(lái)越大。此外,OLED顯示屏材料的使用壽命仍需要提高。AMOLED供應(yīng)商不能保證產(chǎn)量。不過(guò),OLED電視機(jī)也有許多優(yōu)點(diǎn)。OLED電視不需要背光,因此比其它技術(shù)更省電和更多做的更薄。OLED電視響應(yīng)時(shí)間非常快,在觀看電視的時(shí)候沒(méi)有移動(dòng)模糊的現(xiàn)象。此外,OLED電視比其它技術(shù)的色彩更豐富。光存儲(chǔ)目前主要的光存儲(chǔ)技術(shù)有光盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)、全息存儲(chǔ)技術(shù)等,而多階光存儲(chǔ)技術(shù)、高清晰光存儲(chǔ)技術(shù)等也在研發(fā)、
11、實(shí)踐過(guò)程中。其中多階光存儲(chǔ)是目前國(guó)內(nèi)外光存儲(chǔ)研究的重點(diǎn)之一,緣于它可以大大地提高存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)傳輸率。在傳統(tǒng)的光存儲(chǔ)系統(tǒng)中,二元數(shù)據(jù)序列存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)中,記錄符只有兩種不同的物理狀態(tài),例如只讀光盤(pán)中交替變化的坑岸形貌。多階光存儲(chǔ)是讀出信號(hào)呈現(xiàn)多階特性,或者直接采用多階記錄介質(zhì)。多階光存儲(chǔ)分為信號(hào)多階光存儲(chǔ)和介質(zhì)多階光存儲(chǔ)。而對(duì)于高清晰度的光存儲(chǔ)技術(shù),隨著高清晰度電視系統(tǒng)的出現(xiàn)及使用,更高畫(huà)面質(zhì)量和音質(zhì)節(jié)目的出現(xiàn)意味著需要更大容量和更高性?xún)r(jià)比的物理載體。國(guó)內(nèi)外相繼推出了各種高清晰度光盤(pán)技術(shù)方案,如采用紅光技術(shù)的EVD、NVD、FVD和采用藍(lán)光技術(shù)的BD、HD DVD、CBHD。如紅光技術(shù)中的EV
12、D技術(shù),是我國(guó)企業(yè)聯(lián)合研發(fā)的基于紅光技術(shù)的光存儲(chǔ)技術(shù)。代表企業(yè)為北京阜國(guó)數(shù)字技術(shù)有限公司(開(kāi)發(fā)EVD主體系統(tǒng))、今典環(huán)球公司(負(fù)責(zé)EVD片源的供應(yīng))、新科電子公司(最先推出EVD影碟機(jī)的廠商)。EVD的主要特點(diǎn)是:在不改變DVD物理格式的前提下,使用部分新的音視頻編碼技術(shù),如在視頻部分EVD可使用MPEG-2、H264、WMV一9、AVS等,在音頻方面使用EVD獨(dú)有的EAC音頻編碼技術(shù)。而藍(lán)光技術(shù)中的HD DVD也采用藍(lán)紫光技術(shù),盤(pán)片容量為單面單層1 5 GB、雙層30 GB,雙面單層30 GB、雙層60 GB。HD DVD采用MPEG-4、H264、WMV一9和MPEG-2視頻編碼,音頻采用
13、Dolby Digital Plus、DTS、Dolby Digital和MPEG Audio等有損編碼和LPCM、MLP和DTS HD等無(wú)損編碼。HD DVD兼容現(xiàn)有DVD,生產(chǎn)成本也較低。激光技術(shù)對(duì)于激光技術(shù)的發(fā)展前景,最近比較熱的是3D打印技術(shù)和光刻機(jī)。3D打印技術(shù)分為很多種,主要有:以高分子聚合反應(yīng)為基本原理的:激光立體印刷術(shù)(Stereolithography, SLA,有著名的Objet(已和Stratasys合并)和FormLabs為代表), 高分子打印技術(shù)(Polymer Printing), 高分子噴射技術(shù)(Polymer Jetting), 數(shù)字化光照加工技術(shù)(Digita
14、l Lighting Processing), 微型立體印刷術(shù)(Micro Stereolithography)。其中SLA全稱(chēng)Stereolithography(立體印刷術(shù))。它用激光選擇性地讓需要成型的液態(tài)光敏樹(shù)脂發(fā)生聚合反應(yīng)變硬,從而造型。SLA有兩大類(lèi),一種是Objet為代表的,從下到上打印的。另一種是FormLabs為代表的,從上往下打印的。以燒結(jié)和熔化為基本原理: 選擇性激光燒結(jié)技術(shù)(Selective Laser Sintering, SLS,3D打印行業(yè)龍頭老大3D System的看家本領(lǐng)), 選擇性激光熔化技術(shù)(Selective Laser Melting, SLM), 電
15、子束熔化技術(shù)(Electron Beam Melting, EBM)。而其中SLS全稱(chēng)Selective Laser Sintering(選擇性激光燒結(jié))。和SLA類(lèi)似,SLS使用激光。和SLA不同的是,SLS用的不是液態(tài)的光敏樹(shù)脂,而是粉末。激光的能量讓粉末產(chǎn)生高溫和相鄰的粉末發(fā)生燒結(jié)反應(yīng)連接在一起以粉末-粘合劑為基本原理:三維打印技術(shù)(Three Dimensional Printing, 3DP,MIT在90年發(fā)明的,Zcorp(已被3D Systems收購(gòu))、EOS和voxeljet是杰出代表),而這種技術(shù)是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ),運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料,通過(guò)逐層打印的方式
16、來(lái)構(gòu)造物體的技術(shù)。3D打印機(jī)則出現(xiàn)在上世紀(jì)90年代中期,即一種利用光固化和紙層疊等技術(shù)的快速成型裝置。它與普通打印機(jī)工作原理基本相同,打印機(jī)內(nèi)裝有液體或粉末等“印材料”,與電腦連接后,通過(guò)電腦控制把“打印材料”一層層疊加起來(lái),最終把計(jì)算機(jī)上的藍(lán)圖變成實(shí)物。目前最先進(jìn)的光刻技術(shù)采用的是浸入式光刻技術(shù),浸入式光刻的原型實(shí)驗(yàn)在上世紀(jì)90年代開(kāi)始陸續(xù)出現(xiàn)。1999年,IBM的Hoffnagle使用257nm干涉系統(tǒng)制作出周期為89nm的密集圖形。當(dāng)時(shí)使用的浸入液是環(huán)辛烷。但因?yàn)楫?dāng)時(shí)對(duì)浸入液的充入、鏡頭的沾污、光刻膠的穩(wěn)定性和氣泡的傷害等關(guān)鍵問(wèn)題缺乏了解,人們并未對(duì)浸入式光刻展開(kāi)深入的研究。2002年以
17、前,業(yè)界普遍認(rèn)為193nm光刻無(wú)法延伸到65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),而157nm將成為主流技術(shù)。然而,157nm光刻技術(shù)遭遇到了來(lái)自光刻機(jī)透鏡的巨大挑戰(zhàn)。這是由于絕大多數(shù)材料會(huì)強(qiáng)烈地吸收157nm的光波,只有CaF2勉強(qiáng)可以使用。但研磨得到的CaF2鏡頭缺陷率和像差很難控制,并且價(jià)格相當(dāng)昂貴。雪上加霜的是它的使用壽命也極短,頻繁更換鏡頭讓芯片制造業(yè)無(wú)法容忍。正當(dāng)眾多研究者在157nm浸入式光刻面前躊躇不前時(shí),時(shí)任TSMC資深處長(zhǎng)的林本堅(jiān)提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波長(zhǎng)下水是不透明的液體,但是對(duì)于193nm的波長(zhǎng)則是幾乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高達(dá)1.44,而可見(jiàn)光只有1.
18、33!如果把水這樣一種相當(dāng)理想的浸入液,配合已經(jīng)十分成熟的193nm光刻設(shè)備,那么設(shè)備廠商只需做較小的改進(jìn),重點(diǎn)解決與水浸入有關(guān)的問(wèn)題,193nm水浸式光刻機(jī)就近在咫尺了。同時(shí),193nm光波在水中的等效波長(zhǎng)縮短為134nm,足可超越157nm的極限。193nm浸入式光刻的研究隨即成為光刻界追逐的焦點(diǎn)。在晶圓代工領(lǐng)域,浸入式光刻應(yīng)用在45nm量產(chǎn)已成為普遍共識(shí)。至于45nm以下的32nm或22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),采用何種光刻技術(shù)卻面臨業(yè)界看法的分歧?,F(xiàn)在可以預(yù)見(jiàn)的三條路徑是:通過(guò)采用折射率更高的浸入液、光刻膠以及光學(xué)材料進(jìn)一步提高數(shù)值孔徑,進(jìn)而滿(mǎn)足更高的分辨率需求;在維持現(xiàn)有浸入式光刻技術(shù)的前提下,
19、依靠雙重曝光或雙重成像技術(shù)滿(mǎn)足更高的分辨率需求;極紫外光刻技術(shù)(EUV)。根據(jù)ITRS預(yù)測(cè),隨著合適的光刻膠和掩膜版技術(shù)的發(fā)展,193nm浸入式光刻配合雙重圖形極有希望成為32nm節(jié)點(diǎn)的主流工藝。不過(guò)雙重圖形技術(shù)還存在套刻精度以及由一次光刻變?yōu)閮纱喂饪趟鸬纳a(chǎn)效率下降等問(wèn)題。雖然這些雙重曝光步驟只可能用于最關(guān)鍵的器件層,但無(wú)論如何,生產(chǎn)能力下降始終是芯片制造商無(wú)法泰然處之的問(wèn)題。至于更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn),EUV的采用在目前看來(lái)也許是大勢(shì)所趨。太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能電池一向?yàn)槿怂嵅〉氖枪怆娹D(zhuǎn)化效率,實(shí)驗(yàn)室所研發(fā)的硅基太陽(yáng)能電池中,單晶硅電池效率為25.0%,多晶硅電池效率為20.4%,CIGS薄膜電池效率達(dá)19.6%,CdTe薄膜電池效率達(dá)16.7%,非晶硅(無(wú)定形硅)薄膜電池的效率為10.1%,而我們熟知的晶硅電池分為單晶和多晶,區(qū)別在于所用硅片。單晶硅片由多晶硅原料經(jīng)拉晶爐拉成單晶棒后再切片制成,多晶硅片是由多晶硅料經(jīng)鑄錠爐鑄成多晶硅錠后再切片制成。由于多晶硅電池的制作工藝與單晶硅電池差不多。但就轉(zhuǎn)換率看,目前單晶硅電池轉(zhuǎn)換率普遍在16%18%,多晶硅電池普遍轉(zhuǎn)換率在15%16%。從制作成本比較,多晶硅電池要便宜一些,材料制造簡(jiǎn)便,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,得到了大量發(fā)展。因此多晶硅電池占到晶硅電池量的2/3,占太陽(yáng)能電池
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