知識(shí)點(diǎn)復(fù)習(xí)資料

1、知識(shí)點(diǎn)1 -成膜第一份）1.Sputter設(shè)備生產(chǎn)FFS產(chǎn)品時(shí)，Glass表面溫度約為多少攝氏度（230）2. B3 CF Sheet ID CBM3X9803EFHG-1234Q0各位號(hào)碼意思 （）3. 在B3 CF分廠(chǎng)，下列選項(xiàng)中全部都有 6軸（Robot RWL,ICL,ANL,ITO個(gè)）4. 各 Line 與設(shè)備之間的通訊協(xié)議是以下哪一項(xiàng)（1,2,1.1 ）氧化銦錫 ）5. CSA CSB CSC及 CSD中 Crane數(shù)量分別為（6. 下列靶材與Sputter背板直接接觸的物質(zhì)是（7.B3 CF ITO Lin共有多少個(gè)六軸Robot（ 4）8. 正確的防塵服穿著順序是（9. C/F

2、制作過(guò)程中,32寸產(chǎn)品與18.5寸產(chǎn)品主要不同點(diǎn)（TN與FFS模式不同點(diǎn)）10. 屬于 PM 時(shí)正確做法的是（12. Unpack裝 Glass的是 Crate,一般每個(gè) Crate裝 0.7t 的 Glass的片數(shù)是（300）13. Sputter 設(shè)備的腔體有 Heater 的腔體是（M3.1、M4.1、M5.1、M6.1、M7.1、 M7.2、M6.2、M5.2）15.B3 CF Sputter設(shè)備每個(gè) Carrier 上 Clamp 的數(shù)量為（18）16. B3 CF Sputte使用的Carrier上部從玻璃邊緣到第一個(gè) Clamp的距離為 （ 26mm ）17. TFT-LCffi

3、示器的顯示性能指標(biāo)包括（分辨率，色度，響應(yīng)速度 對(duì)比度 等）18. Carrier到達(dá) Sputter Process Chambe時(shí) Carrier 與 Carrier 之間的間隔為（ 重 疊）19. 量產(chǎn)時(shí)，Sputter Process Chambe內(nèi)通入的氣體為（氬氣和氧氣）20. 在生產(chǎn)的過(guò)程中，設(shè)備重啟 PLC后，哪個(gè)部分不需回到原（HOM巳點(diǎn)（ Magazine ）21. B3 CF Sputte設(shè)備Robot Vaccum數(shù)值多少以上為正常（-90 ）22. 關(guān)于FFS MODEE確工藝流程的是 （）23. TN Mode 時(shí) Line Flow 中正確流程()24. 3正5S

4、中屬于3正的是（正品、正位、正量 ）25. 潔凈間內(nèi)產(chǎn)生最大的污染源因素是（人 ）26. RWL 的全稱(chēng)是(Rework Li ne)27. 等離子體是整體上呈現(xiàn)（輝光放電 ）28. Sputter 設(shè)備中陽(yáng)極的電壓是（ Carrier 上， 電勢(shì)為零 ）29. Spu tter設(shè)備中作為陽(yáng)極的是（Carrier接地 ）30. TN模式中ITO薄膜的主要作用是（共同電極）31. FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（ 電場(chǎng)屏蔽）32. 屬于ITO工藝參數(shù)的是（溫度、氧氣和氬氣氣體流量及比例、腔體壓力、Power 功率 ）33. IT O 生產(chǎn)模式是(P roduct Mode )34. ITO的

5、 Bake模式是(Standby mode )35. ITO的 Offline 首件模式是(Starting Dummy Mode )36. SCS區(qū)的 Buffer 存放的是(Inner Dummy ) 37. SCSx的Buffer 一般存放玻璃（44枚） 38. Online情況下需要ITO特性值確認(rèn)時(shí)，Sample玻璃投入口為（port 口 ）39.Offline情況下需要首件確認(rèn)時(shí)，Sample玻璃投入口為（SCS的LD 口 ）40. ITO首件Sample特性值確認(rèn)項(xiàng)不包括（透過(guò)率阻抗膜厚）41. TN模式 ITO膜厚 Spec為(115-145nm 最大：145NM,最小：115

6、NM，平 均： 117130NM)42. TN模式ITO阻抗spec%（ 35 最大：v 50,最?。簾o(wú)，平均：v 40 ）43. FFS模式ITO阻抗spec為（93% 最大：無(wú), 90%,平均： 92%)最?。?5. TN 模式玻璃鍍膜表面溫度（ 120 ）46. TN模式ITO膜要經(jīng)過(guò)Anneal的PBK工序是為了（使ITO結(jié)晶更完全47. TN型產(chǎn)品經(jīng)過(guò)Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（93% )49. Sputter 正常生產(chǎn)使用 Carrier 的數(shù)量為（ 1150. Sputter中起輝氣體是（ Ar ）51. Sputter設(shè)備共使用靶材的數(shù)量為（7）52. Sputter使

7、用的陶瓷靶，其成分In2O3與SnO2的比例為（9:1）53. IT O特性值管控項(xiàng)目管控不包括（管控 透過(guò)率 ，阻抗，膜厚 ）54. 影響ITO膜厚的因素有（Power56.提高成膜溫度對(duì)ITO薄膜的影響（結(jié)晶更完全 ）57.設(shè)定Carrier定期更換的主要作用是（ 防止OutGas引起的阻抗超標(biāo)58. carrier更換后要進(jìn)行必要那些檢查（peak、 Clamp,彈簧)59. ITO工序外觀(guān)檢查設(shè)備是（ Visual ）60. ITO色差外觀(guān)異常產(chǎn)生原因是（成膜不均勻）61. Carrier停滯發(fā)生后玻璃基板應(yīng)如何處理（Though Mode單獨(dú)存放與CST RWK ）62. ITO p

8、article多發(fā)時(shí)段在（在中期PM和末期PM前 ）63. ITO樹(shù)狀Mura產(chǎn)生的原因（放電異常 ）64. 靶材中期PM的主要包括（研磨靶材、shield Box更換）65. 如果阻抗值超出Spec值，首先要進(jìn)行（ 停機(jī)）66. Spu tter破片發(fā)生應(yīng)確認(rèn)（Carrier等于玻璃接觸的位置）67.靶材表面凸起（Nodule）較多會(huì)影響（ITO的Particle及PH ）68. B3 CF Sputte使用靶材厚度為上/中/下（9、7、9mm）69. 下列不良中，肯定不是ICL的洗凈不良造成的是（ICL的Brush會(huì)產(chǎn)生豎線(xiàn) ）70. 下列Cleaner采用的新設(shè)計(jì)中，有利于Clean R

9、oom內(nèi)潔凈度保持的是（FFU 設(shè)計(jì) ）71.在 B3 Layout 中與 ICL連接的 Stocker是(CSA )72.ICL Cleaner中Air curtain的使用目的是（分割作用，防止藥液過(guò)多流入 DIW Chamber ）73.Cleaner內(nèi)的Ionizer的作用是（ 除靜電）74.Li ne中哪條線(xiàn)的清洗機(jī)同時(shí)帶有上下Brush 的是( ICL /ANL )75. RWL產(chǎn)生不良主要包括ITO殘留，Pattern殘留等等 ）76. 玻璃基板在RWL流動(dòng)順序是（PS Stripper-ITO Etch-RGB Stripper)77. RWL流動(dòng)影響基板洗凈效果因素有溫度，洗

10、凈時(shí)間 ）78. RWL中使用酸性藥液主要是為了刻蝕ITO層）(4 個(gè) Stripper Chamber)79. RGB Stripper單元有()個(gè) Chamber 80.Stripper 藥液 tank 最高使用溫度第二份）1. CF ICI有( 3 )臺(tái) Robot。2. TFT-LC顯示器中，控制各像素電流的器件是（IC驅(qū)動(dòng)電路，TFT ）3. TFT-LC顯示器的顯示性能指標(biāo)包括（ 分辨率、色彩濃度、可視角度、響應(yīng)速度、對(duì)比 度、亮度 ）4. 屬于Sputter工藝需要關(guān)注的參數(shù)的是（溫度、氧氣和氬氣氣體流量及比例、腔體壓力、Power功率 ） 5.下列沒(méi)有E-UV裝置的Line是（

11、0C ITO ANL ） 6.量產(chǎn)時(shí)，Sputter Process Chambe內(nèi)通入的氣體為（Ar、02 ）7. Carrier到達(dá) Sputter Process Chambe時(shí) Carrier與 Carrier之間的間隔為(重疊 )8. B3 CF-臺(tái)Sputter用到的Target的個(gè)數(shù)為（7 ）60 )9. UPK的 NG 口處，NG glass在 tilting conveyor 上傾斜的角度是（10. 哪條生產(chǎn)線(xiàn)沒(méi)有 A0I（ RWL， ICL， IT0， PRL ）11. 關(guān)于 CF Cleaner的 Module12. CF Cleaner Roller Brush (IC

12、L 4組 16個(gè)， ANL 1組 4個(gè))13. UPK的NG 口處，最多可以容納的NG glass的數(shù)量（2張14. B3 C/F CIM中從Line PC得到生產(chǎn)計(jì)劃并下放到各設(shè)備的是15. Array的5Mask工藝流程順序是（）16.TFT LC中國(guó)大陸第一條6代線(xiàn)的量產(chǎn)時(shí)間是（2010年9月16日）17.AOI可以檢出的Defect的全部信息（size等）18. CF工場(chǎng)中 Sheet ID CBM3X9803EFHG-123400 其中的 “ 1234(”的是(Sheet ID)19. Rework藥劑的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）20.ANL Postbake設(shè)備 Buffer 多少層(28

13、層)21. Rework設(shè)備基本作業(yè)流程(PS Stripper-ITO Etch-RGB Stripper )22. 哪種情況在ITO Line中不會(huì)產(chǎn)生Particle（ ） 23.TFT-LC顯示器中，需要偏光片的數(shù)量是（2 ）24. 以下Line中，Tact最短的是（ITO ）25. 下面廣視角技術(shù)中，屬于BOE獨(dú)有專(zhuān)利的是（FFS或 ADS）26在CF基板上負(fù)責(zé)形成金屬膜層的設(shè)備是（Sputter27. B3 CFX場(chǎng)一臺(tái) Sputter 設(shè)備的 Tact Time為(39.528. CF UPK 個(gè) Crate裝 0.7t Bare Glass的數(shù)量是(30029. 下列Line中

14、沒(méi)有LD 口的是（ ICL ）31. FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（ 屏蔽電場(chǎng)） 32屬于ITO工藝參數(shù)的是（溫度、氧氣和氬氣氣體流量及比例、腔體壓力、Power功率）33. IT O 生產(chǎn)模式是(P roduct Mode )36. SCS區(qū)的 Buffer 存放的是(Inner Dummy )37. SCSX 的 Buffer 一般存放玻璃（44s） 38.0niine情況下需要ITO特性值確認(rèn)時(shí)，Sample玻璃投入口為（Port 口）39.0ffli ne情況下需要首件確認(rèn)時(shí)，Sample玻璃投入口為（SCS LD口 ）管控 透過(guò)率 ，阻抗，膜厚40. ITO首件Sam pie特

15、性值確認(rèn)項(xiàng)不包括41. Sputter設(shè)備檢漏使用的氣體是（He氣42. 等離子體是整體上呈現(xiàn) （輝光放電43. Sputter設(shè)備中陽(yáng)極的電壓是（0伏特44. Sputter設(shè)備中作為陽(yáng)極的是（carrier 50.ITO 的 Bake模式是(stand-by mode 54.OnIine情況下需要ITO特性值確認(rèn)時(shí),Sample玻璃投入口為（ Port 口55. Offline情況下需要首件確認(rèn)時(shí)，sampie玻璃投入口為（SCS LD 口56. ITO首件sample特性值確認(rèn)項(xiàng)不包括（管控透過(guò)率，阻抗，膜厚57. TN 模式 ITO膜厚 Spec為(115-145nm最大：145NM，

16、最小：115NM，平均： 117130NM)58. Stripper藥液tank最高使用溫度（75C ）59. TN模式ITO阻抗spec為（35 最大：v 50,最?。簾o(wú)，平均：V 40 62.玻璃基板在 RWL流動(dòng)順序是(PS Stripper-ITO Etch-RGB Stripper63. RWL流動(dòng)影響基板洗凈效果因素有（藥液溫度，洗凈時(shí)間）64. RWL中使用酸性藥液主要是為了（刻蝕ITO層）67. TN模式ITO膜要經(jīng)過(guò)Anneal的PBK工序是為了（使ITO結(jié)晶更完全68. TN型產(chǎn)品經(jīng)過(guò)Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（3569. TN型產(chǎn)品經(jīng)過(guò)Anneal的后的ITO薄膜

17、透過(guò)率（93%的數(shù)量為 （ 11）70. Sputter 正常生產(chǎn)使用 carrier71. Sputter中起輝氣體是（氬氣72. Spu tter設(shè)備共使用靶材的數(shù)量為（7 ）9:1)73. Sputter使用的陶瓷靶，其成分ln2O3與SnO2的比例為（74. ITO特性值管控項(xiàng)目管控不包括（管控 透過(guò)率，阻抗，膜厚 ）76.下列說(shuō)法正確的是 （）77.提高成膜溫度對(duì)ITO薄膜的影響（使ITO結(jié)晶更完全）78.不屬于ITO工序管理項(xiàng)目是（管控 透過(guò)率，阻抗，膜厚79.設(shè)定Carrier定期更換的主要作用是（防止產(chǎn)生樹(shù)狀MURA80. carrier更換后要進(jìn)行必要那些檢查（peak、Cl

18、amp,彈簧知識(shí)點(diǎn)2-光刻（第一份）1. PS高度設(shè)備中無(wú)法進(jìn)行測(cè)量的項(xiàng)目是（ITO電阻）2. 使用于Clean設(shè)備中2流體的原材料是（DIW, CDA）3. BML上正確的曝光機(jī) Process順序是(Pre Alignment Gap制御 Alig nment 曝光 )4.工程設(shè)備順序?qū)Φ氖牵ǎ?.以下受升華物影響發(fā)生的問(wèn)題點(diǎn)中受影響最少的是（Tact Time 縮短 _ )6.在全數(shù)檢查機(jī)里無(wú)法確認(rèn)的是（mura_ ）7、(PSL )口 8、CF工廠(chǎng)的LOT號(hào)是13位的，比如B15C12605000Q其中第四個(gè)字母 C表示 （B3工廠(chǎng)基板）9、CF分廠(chǎng)使用的PR膠中只有（OCL ）不是光

19、固化材料。10、Sputter的Chamber內(nèi)，靶材是以（原子）狀態(tài)運(yùn)動(dòng)并沉積到 Glass表面 的。11、CF工廠(chǎng)有兩個(gè)CWS的line是（BGR ）。12、液晶行業(yè)中使用的 glass是無(wú)堿 glass,其特點(diǎn)不包括（）13. BML AOI檢查一張glass時(shí)的掃描次數(shù)為（1 ） 14、( BML / PSL )的 Post-bake后面設(shè)計(jì)有 BF.15. 哪一部件在 UV Asher有，而EUV沒(méi)有（_IR紅外照射燈或IR Heater）16. 哪一項(xiàng)不是common defect發(fā)生的原因17、顯影機(jī)使用HPMJ的產(chǎn)線(xiàn)是（BML1&設(shè)備中不能發(fā)出Stop Signal的是（19、

20、關(guān)于B3曝光機(jī)的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是（20、G6曝光機(jī)的光源（超高壓水銀燈21、不屬于Coater CWS系統(tǒng)的是（）22. 當(dāng)今在顯示領(lǐng)域處于主導(dǎo)地位的是（TFT-LCD）23. 不屬于CF著色層的是（OCL）24.TFT-LC血示器中，控制顯示色彩的器件是CF)25.CF包括哪些層（BM、BGR 0C、ITO PS_)26. BOE使用的CF制備工藝屬于（ 濕刻）應(yīng)該是顏料分散法 27.BOE HF使用的基板 Size是(1500X1850 )28. CF膜層中起保護(hù)、平坦化作用的是（ OCL40min+5m in_ )29.Glass在OCL的post-bake中處理的時(shí)間是（30. 請(qǐng)找出F

21、FS Model中, Line進(jìn)行Flow中正確的一項(xiàng)是（）31.OC的Mura檢查要使用（Na）lamp進(jìn)行檢查。32. G6 line 中，LD和 ULD不是都和 CSB相連的是（ICL IAL、IBL、BLU FIL_33. Clea ner設(shè)備中最后除水氣的設(shè)備是（A/K）34. 為什么要對(duì)新員工進(jìn)行安全教育？下列錯(cuò)誤的是（35. Visual的功能不包括以下哪項(xiàng)（36. BGR光阻所要求的主要特性是（37. 以下材料形成的膜不是透明是（ 38、雙手臂同時(shí)取放Glass的設(shè)備是（PBK） 39、Coater機(jī)主要的Recipe不包括40、下列部件或系統(tǒng)不屬于 Stocker的是 41、

22、已登錄過(guò)的制造作業(yè)日?qǐng)?bào)，還能繼續(xù)進(jìn)行的操作不包括42、CIM系統(tǒng)中，BC（ Block Controller）與設(shè)備的PLC進(jìn)行聯(lián)接的協(xié)議是 （MELSECNET ）43. PS光阻所要求的主要特性是44. 下面廣視角技術(shù)中，屬于 BOE獨(dú)有專(zhuān)利的是（FFS ）45. 哪些項(xiàng)目是在做PM時(shí)的注意事項(xiàng)46. CF分廠(chǎng)使用的涂布機(jī)生產(chǎn)廠(chǎng)家是（TOK ）47. （ PSL ）Line上的VCD是一個(gè)Chamber采用兩組Dry Pump進(jìn)行抽真空。48. 有 DH-Bake（脫水 Bake）的是（OCL ）49. Pre-Bake的 HP有（9 ）塊 Heater。50. BML Pre-Bake最

23、多可以以容納（31）張 Glass 51、正確的防塵服穿著順序是 52、最大的污染源是（人） 53、哪條生產(chǎn)線(xiàn)沒(méi)有 AOI （ ITO/ ICL /RWL）。_7um _ ）。54、BML AOI的BM CD測(cè)量功能中一般對(duì)基板測(cè)量（3處 55、FIL AOI接受基板正面反射光的CAMERA勺檢出力是（ 56、ITO靶材的主要成分是（_氧化銦錫 ） 57、18.5寸產(chǎn)品中TP mark總共有（96 ）個(gè) 58、對(duì)B10、B40產(chǎn)品CF工廠(chǎng)分別采用（ 4SHOT. 6SHOT ）曝光 59、CF工場(chǎng)NSK曝光機(jī)采用的曝光方式是（接近式曝光_） 60、均有 Reverser的 Line 為（_IC

24、L IAL、IBL ANL、RWL OIA_ 61.與洗凈機(jī)不相關(guān)的用語(yǔ)檢查 ）63. P attern Re pair的功能中，不包括（64. Crack檢查機(jī)在（LD ）位置。65、不屬于 B3 C/F CIM 中 Re port System 功能的是（） 66、哪項(xiàng)不屬于CF CIM系統(tǒng)的硬件 67、不同型號(hào)制品，在ITO生產(chǎn)切換時(shí)，lot start特別需要確認(rèn)的信號(hào)為_(kāi)LineCode（ dummy填充信號(hào) ） 68、設(shè)備 Input Status=2意義是(process ) 69、不是倒角檢查機(jī)判NG標(biāo)準(zhǔn)是 70、CF工廠(chǎng)采用的PR膠的特性是（ 負(fù)性膠 ）71 .BML tac

25、t time 為 20s時(shí)，cleaner 的搬送速度為(7200_mm/min _)72. VCD的主要作用是（真空干燥，去除Coater后PR膠里的大部分溶劑）73. BLU Li ne上HCP Buffer給曝光機(jī) St op Sig na信號(hào)的情況是 （HCP出現(xiàn)Glass堆積，超過(guò)set值）74.不屬于Coater Mura的是（共同Mura、蝴蝶、顯影 Mura等）75. Coater管路中主要用于排除PR內(nèi)氣體的結(jié)構(gòu)單元是（脫泡器）76. 下列設(shè)備中哪種設(shè)備是PSL所有的（PSM_）77. 顯影液的成分是（KOH_78. CF膜層中起液晶層Spacer作用的是（PSL_）79.

26、CF膜層中起擋光作用的是（BML_ ）80. PS高度設(shè)備的測(cè)量原理是（白光干涉）（第二份）1.利用Hot P late除去Coati ng后殘留的Solve nt成分并增加Resist和 Glass之間的 緊密性，且通過(guò)Cool Plate把Resist和Glass的溫度冷卻到常溫的工程是（HPCP） 2.不屬于影響工程能力的主要要因（4M）的是（）3. BGR Line的設(shè)備排序中正確的一項(xiàng)（）4. 不屬于BGR重點(diǎn)管理標(biāo)準(zhǔn)的是（）FAB收率 ）5. 整體工序進(jìn)行期間,關(guān)于Reject的Glass的收率定義是（6. 曝光機(jī)Unit說(shuō)明中不對(duì)的是（）7. 受升華物影響發(fā)生的問(wèn)題點(diǎn)中受影響最少

27、的是（tact time 8 Line 中 Post bake之后有 Buffer 的門(mén)6是(BMLPSL )9. 不屬于縮短Coater中的PR的Job Change時(shí)間的方法是（AOI檢查 ）11. P attern Re pair的功能中，不包括（12.表示檢查的特性值是（位置精度I H3H118.當(dāng)今在顯示領(lǐng)域處于主導(dǎo)地位的是（TFT-LCD )oaara13. 顯影機(jī)使用HPMJ的產(chǎn)線(xiàn)是（BMLAOI )14. BML P attern Re pair的修正情報(bào)來(lái)自( 15 .關(guān)于B3曝光機(jī)的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是（16. V-PAD的作用( 清潔 nozzle )17. B3 Coater

28、機(jī) Tip的材質(zhì)（超硬合金19. TFT-LCE顯示器中，控制顯示色彩的器件是（ CF ）20. TFT-LCffi示器的顯示性能指標(biāo)包括（分辨率、灰度和色度、亮度、對(duì)比度、 響應(yīng)速度、可視角度、開(kāi)口率）21. BOE B3工廠(chǎng)使用的CF制備工藝屬于（ 濕刻 ）22. OCL上 Future Area會(huì)安裝部分設(shè)備，作為 Test Line使用，不包括（23. Coater中異物檢查sensor的位置在哪里？ （ nozzle前面）24. 0C的mura檢查要使用什么lamp ?（NA燈）25. B3 line 中, ULD未與 CSB相連的是？( OIB PSL FIL )ICL IAL、I

29、BL RPL BML、BLU26. OC層的作用是（起保護(hù)、平坦化作用27.為什么要對(duì)新員工進(jìn)行安全教育？下列錯(cuò)誤的是（28.員工在安全性生產(chǎn)方面的權(quán)利有（29.下列顏色中，不屬于安全色的有（安全色：紅、綠、黃色30.下列部件或系統(tǒng)不屬于Stocker的是（）31. C/F CIM中從Line PC得到生產(chǎn)計(jì)劃并下放到各設(shè)備的是（ BC32.下列哪項(xiàng)不屬于CF CIM系統(tǒng)的硬件（）33. CIM系統(tǒng)中，BC（Block Controller）與設(shè)備的PLC進(jìn)行聯(lián)接的協(xié)議是NET/G ）MELSEC34. Report System的登錄網(wǎng)址是(/BOE/login

30、.html )35.已登錄過(guò)的制造作業(yè)日?qǐng)?bào)，還能繼續(xù)進(jìn)行的操作不包括（36.產(chǎn)線(xiàn)內(nèi)Force Judge的操作界面位于哪臺(tái)PC （ BM位置、office37. BM PR的功能不包括下列哪項(xiàng)？（具有提高對(duì)比度、阻隔用）BGR減小反射率的作38.哪項(xiàng)不是BGR光阻所要求的主要特性？（ BGR需有高的色純性、顯像后無(wú)殘留、好的圖案平整度）39.哪項(xiàng)不是PS光阻所要求的主要特性？ （ PS需要有涂布均一性、較好的彈性性能、 高感光性和解析度）40. 下面廣視角技術(shù)中，屬于 BOE獨(dú)有專(zhuān)利的是：（ADS即 FFS）41. LCD相關(guān)性能指標(biāo)中描述不正確的是：（高的透過(guò)率和色純度、高對(duì)比度、 低反射率

31、、高平整度、良好的耐受性）42. C/F制作過(guò)程中，ADS即FFS產(chǎn)品與TN產(chǎn)品主要不同點(diǎn)：（ADS有背面ITO43. CF Coate設(shè)備使用的Nozzle長(zhǎng)度為：（ 小于1497mm）44. 哪條Line上的VCD是一個(gè)Chamber采用兩組Dry Pump進(jìn)行抽真空：（PSL45. Line DCV均沒(méi)有 ID Reader的是：(BML、BLU46. 關(guān)于HP與CP說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）31)。47. BML Pre-Bake最多可以以容納多少?gòu)圙lass?（48. 下列關(guān)于CF Cassette Cleane說(shuō)法中錯(cuò)誤的是：（49. ADS即卩FFS模式下，CF的工藝流程是（）50. 防塵

32、服穿著順序是（）100m、5m )51. 一卷研磨帶的長(zhǎng)度及報(bào)警長(zhǎng)度（52. FIL AOI接受基板正面反射光的Camera的檢出力是多少微米（ 7um ）53. 判斷NSK曝光機(jī)的號(hào)機(jī)別及 L R Type（）54. 對(duì)于M/C移動(dòng)時(shí)，Cassette處的坐標(biāo)為（）55.曝光機(jī)Fly eye Lens的作用是？（使光強(qiáng)度均一后送入下一個(gè)Mirror ） 56. PSL曝光機(jī)不同于其他Line的結(jié)構(gòu)？ （DUV filter ）57. 目前 CF工場(chǎng)的 Mask Size是多少(1200 x 850)58. BML曝光機(jī)與B/G/R/PS Line曝光機(jī)的主要區(qū)別是什么：（對(duì)位方式不一樣59.

33、 以下特性值測(cè)長(zhǎng)機(jī)不能測(cè)量的是（OD ）60.測(cè)長(zhǎng)機(jī)測(cè)量的完整順序?yàn)椋↙D -Lift Pin Down-對(duì)位，吸真空，測(cè)量，Pin UP, ULD ）61. CF工廠(chǎng)采用的PR膠的特性是 （負(fù)性膠62. CF工廠(chǎng)內(nèi),ULD處設(shè)有NG Port的Line為?(Red,RP L,BML,FIL )63關(guān)于Coater SPL部的裝置不正確的是？（64. Coater SPL部 Cleaning時(shí)不包括哪項(xiàng)？（65.由Exposure Photo Mask引起的不良名稱(chēng)是？（共同缺陷）66.哪條 LINE均有 Reverse ICL IAL、IBL、ANL、RWL OIA )67.CF工場(chǎng)中，BU

34、FFER C中 Buffer容量為80s的Line數(shù)量及Line別為（BM68.Robot Teachi ng說(shuō)法正確的是？（69.70.層假設(shè) Line Tact 20sec PBK烘烤時(shí)間 18min , PBK Oven至少需要(54RED ULD GR基板未進(jìn)入SCS Por的可能原因，不包括（）71.關(guān)于OIA的作用（測(cè)量色度、透過(guò)率、段差、阻抗、外觀(guān)等特性值72. Rework設(shè)備基本作業(yè)流程：（ 剝離PS-蝕刻ITO剝離RGB/BM清洗73. Mask Cleaner的Stock及Manual Inspection作用分別是：（存放、外觀(guān)檢查 MASK ）74. VCD裝置工作的

35、前1015sec緩慢抽真空的原因是？（防止抽真空時(shí)產(chǎn)生 氣泡）75. CF工廠(chǎng)各Line均在生產(chǎn)過(guò)程中，廠(chǎng)務(wù)供電端突然跳閘斷電2sec, EXP Mask掉落與正在曝光的Glass粘連到一起，請(qǐng)問(wèn)怎么分開(kāi) Mask減少損失？（先放入 水池中浸泡，再分離）76. FIL檢出多張21.5inch Glass背面局部泛紅泛綠，最可能原因是（Overlay偏 小 ）77. Line有打標(biāo)設(shè)備的是（BML、RWL ）78. BM/BGR/PSL的PBK烘烤時(shí)間都w 20min,而OCL的PBK烘烤時(shí)間為40min的原因是（OCL屬于整體涂布，PR含量較高）79. Sharp四色技術(shù)中新加入了哪個(gè)色層？（

36、 yellow ） 80.下列參數(shù)中可控制Glass涂布前端膜厚，實(shí)現(xiàn)膜厚均勻性的是（Pump rate/Gap ）知識(shí)點(diǎn) 3-評(píng)價(jià)（第二份）1.使用于Clean設(shè)備中2流體的原材料是（離子水DIW和CDA ）2. Line ULD中沒(méi)有 NG Port 的 Line 是（ 有 NG Port的 Line為 BM、RPL RED ）3. 在全數(shù)檢查機(jī)里無(wú)法確認(rèn)的是（Mura ）。15. Titler在基板上打出的ID個(gè)數(shù)為（2）。4. 受升華物影響發(fā)生的問(wèn)題點(diǎn)中受影響最少的是（Tact Time ）。5. BML運(yùn)營(yíng)中，曝光完畢后進(jìn)入的工序是（TTL ）。）。7. 哪條線(xiàn)的 AOI 具有背面異

37、物檢查功能（BML、 FIL ）。6.不屬于Exposure CP功能的是（功能包含冷卻、預(yù)對(duì)位、檢查異物12.不屬于Coater CWS系統(tǒng)的是（）。）。2 個(gè) ）。13. V-PAD的作用（ 將Nozzle先端部用清洗液和Air 洗凈并干燥 ）。14.關(guān)于B3曝光機(jī)的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是（）。8. Coater涂布后，第一時(shí)間去除PR膠中溶劑的設(shè)備是（VCD ）。9.在FIL進(jìn)行的關(guān)于Glass檢查的收率定義是（FIL Input-PD前工程Force NG-FILNG） /（FIL Input- PD前工程 Force NG） ）10. Clea ner設(shè)備中最后除水氣的設(shè)備是（A/K 11.

38、 TFT-LC血示器中，需要偏光片的數(shù)量是（16. PSL 工程設(shè)備正確的順序?yàn)椋?預(yù)洗、涂布、預(yù)烘、曝光、顯影、檢查）。17.把涂布在 Glass上PR成分中的SOLVENT成分在真空狀態(tài)下汽化使 Coating 面的平坦度及固化程度維持在一定水準(zhǔn)的減壓干燥裝置是（VCD ）。18. 利用 Hot Plate 除去 Coating 后殘留的 Solvent 成分并增加 Resist 和 Glass 之間的緊密性，且通過(guò)Cool Plate把Resist和Glass的溫度冷卻到常溫的工 程是（HPCP 預(yù)烘）P re-Bake ）。19. BLU Line正確的曝光 Process順序是（Pr

39、e Alignment Gap 制御f Alignment 曝光）。20.不屬于縮短Coater中的PR的Job Change時(shí)間的方法是（）。21. BML上正確的曝光機(jī) Process順序是（ Pre Alignment Alignment Gap 制 御 曝光仔細(xì)看曝光 Shot 順序 Front側(cè)和Back側(cè)）。22. Line 中 Post bake之后有 Buffer 的 Line 是（BML PSL）。23.哪一項(xiàng)不是common defect發(fā)生的原因（發(fā)生原因根本：Mask被污染 ）。24. EUV使用的光源是（ Xe氣燈 ）。25. 利用CDA的濕設(shè)備部件是（A/K （優(yōu)先

40、）Air Curtain）。26.反映BM Pattern寬度的特性值（CD）。）。31. B3曝光機(jī)采用下列哪種形式（接近式曝光）。27. Pattern Re pair的功能中，不包括（包含：laser、i nk、uv固化）。）。28. TD相關(guān)的是（Nozzle拆解，Nozzle的調(diào)整等等29. BML Pattern Repai的修正情報(bào)來(lái)自（ BM AOI ）。30. 設(shè)備中不能發(fā)出Stop Signa的是（能發(fā)的HPCP后面的Buffer，顯影機(jī)buffer， Visual檢查機(jī)，ULD, AOI等32. B3 Coater采用（SPLSpinless Coate，Priming

41、Plate,不是 Priming Roller ）。33. B3 Coater機(jī)Tip的材質(zhì)（超硬合金）。34. 當(dāng)今在顯示領(lǐng)域處于主導(dǎo)地位的是（ LCD ）。35. TFT-LCD示器中，控制顯示色彩的器件是（ CF ）。36. TFT-LCDa示器的顯示性能指標(biāo)包括（LCD顯示器主要性能指標(biāo): 響應(yīng)時(shí)間； 可視角度；分辨率；色彩濃度；亮度；對(duì)比度 等37. CF工場(chǎng)的基本工藝流程是(ICL-BML-BLU-GRN-RED-RPL-ITO-PSL-FIL)。38. CF膜層中起液晶層Spacer作用的是（PS 全稱(chēng) Photo Spacer )。39. BOE HF的顯示產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域不包括（

42、MP3/手機(jī) 40. Crack檢查機(jī)在哪個(gè)位置（LD 注意ANL ITO LD及 FIL LD口沒(méi)有Crack檢查 機(jī)）。41. 在下列工程中，選擇與其他工程不一樣的工程（ 注意OC FIL ICL ITO-ANLBGR/BM、RWL MCL之間是有區(qū)別的42. 影響Pre-bake的最重要參數(shù)是（ 加熱溫度排氣壓Exhaust，接近及接觸加熱時(shí)間、43.哪一個(gè)不是Coater涂布使用的（44. Visual的功能不包括以下哪項(xiàng)（ 送Stop Single及外觀(guān)檢查Visual可以區(qū)別Coater和曝光機(jī)別，可以發(fā)45.下面物流裝置中哪一個(gè)是直接裝載Glass的（CST即卩 Cassette

43、)。46. TFT-LCD勺結(jié)構(gòu)不包含以下哪一個(gè)（MASK47.制作過(guò)程中，F(xiàn)FS產(chǎn)品與TN產(chǎn)品主要不同點(diǎn)（在背面做ITO48. Re pair動(dòng)作順序正確的是（先測(cè)，再磨，再測(cè),49.不屬于FIL不良檢查項(xiàng)目的是（PS高度50. FIL上不需要重新再檢查的 FIL Code是（OK 0000, 0001 等）。51. TN模式的制品經(jīng)過(guò)RPL后流向（ITO）。52. FFS模式的制品經(jīng)過(guò)RPL后流向（OC）。53. FIL AO判定OK的進(jìn)入以下哪臺(tái)設(shè)備（FIL VIS54. RPL Repai運(yùn)行模式（Auto）。55. FIL Re pai 運(yùn)行模式（Manual）。56. RPL re

44、pai由幾臺(tái)PC管理（2）。57. PRL ULD有幾個(gè) PORT口（ 1 ）。58. Rep air機(jī)中測(cè)量異物高度在原理是測(cè)高Sensor物理測(cè)定）。59. Rep air可修補(bǔ)的缺陷（ 黑缺陷）。60. Pattern rep air的ink是在幾倍物鏡下進(jìn)行的（10）。61. Pattern repair的Laser是在幾倍物鏡下進(jìn)行的（20 ）。62. FIL出荷檢查的基板是之前被判定為（RP ,GR）。64.哪項(xiàng)不會(huì)影響研磨效果（ 測(cè)高Senor偏差，研磨帯問(wèn)題等會(huì)影響）。65.敘述錯(cuò)誤的是（）。66. FIL AO敘述正確的是（）。67. PS 高度設(shè)備中無(wú)法進(jìn)行測(cè)量的項(xiàng)目是（可

45、以測(cè)PS高度Size等）。70. 不屬于 BGR 重點(diǎn)管理標(biāo)準(zhǔn)的是（ 厚：）。屬于色度、線(xiàn)幅、位置精度、外觀(guān)、膜71. Coater用到的清洗液的主要成份是（異丙醇- PGMER ）。72.曝光機(jī) Unit 說(shuō)明中不對(duì)的是（）。68. 在 BM, BLU, GRN, RED, PSL Li使用的顯像液是（KOH 類(lèi)顯影液 ）。）。69. 請(qǐng)找出以下BGR Line的設(shè)備排序中正確的一項(xiàng)（）。73. 當(dāng) BM TP 及 CD 發(fā)生 NG 時(shí)，需要用什么設(shè)備測(cè)量（ 測(cè)長(zhǎng)機(jī)74. line中那條線(xiàn)的清洗機(jī)帶有 Brush（ ICL ,ANL）。）。75. BML AOI檢查一張glass時(shí)的掃描次數(shù)

46、為（1 76.下面哪一部件在 UV Asher有，而EUV沒(méi)有（O3 killer即臭氧消除器 或IR紅外加熱裝置 ）。77.下列特性值中，不能在測(cè)長(zhǎng)機(jī)中測(cè)量的是（能測(cè)得是，BM TP、CPCD ）。78.使PR膠發(fā)生反應(yīng)的工序是（ 曝光期間發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)）。80. OCL上的全數(shù)檢查機(jī)不能測(cè)量的項(xiàng)目有（0C膜厚）。3. V-PAD的作用（同上）。第二份）4. Rep air照明裝置有（金屬鹵素?zé)?等等）。5. Line ULD中沒(méi)有 NG Port的 Line是（有的 Line是：BML、RED RPL FIL）。6.不屬于Exposure CP功能的是（冷卻、預(yù)對(duì)位、檢查異物）。7.哪條線(xiàn)

47、的AOI具有背面異物檢查功能（BML,FIL ）。8. Coater涂布后，第一時(shí)間去除PR膠中溶劑的設(shè)備是（VCD。9.在FIL進(jìn)行的關(guān)于Glass檢查的收率定義是（檢查收率）。10. Clea ner設(shè)備中最后除水氣的設(shè)備是（A/K）。11. TFT-LC血示器中，需要偏光片的數(shù)量是（2）。12.不屬于Coater CWS系統(tǒng)的是（）。13. 在全數(shù)檢查機(jī)里無(wú)法確認(rèn)的是（ 異物種類(lèi)）。14.關(guān)于B3曝光機(jī)的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是（）。15. Titler在基板上打出的ID個(gè)數(shù)為（2）。16. P atter n Re pair的功能中，不包括（AOI檢查）。17.把涂布在 Glass上PR成分中的

48、SOLVENT成分在真空狀態(tài)下汽化使 Coating28.下列選項(xiàng)中，與TD相關(guān)的是（）。VCD）。面的平坦度及固化程度維持在一定水準(zhǔn)的減壓干燥裝置是（ 18. 利用 Hot Plate 除去 Coating 后殘留的 Solvent 成分并增加 Resist 和 Glass 之間的緊密性,且通過(guò)Cool Plate把Resist和Glass的溫度冷卻到常溫的工程是 （HCP。19. BLU Line正確的曝光Process順序是（）。20. 在顯影過(guò)程中由于 BM 顯影機(jī)漏液造成，直徑為 23mm 左右，且發(fā)生隨機(jī) 的 Mura 是（ BM 小黑點(diǎn) ）。21. BML上正確的曝光機(jī)Process順序是（）。22.以下 Line 中 Post bake之后有 Buffer 的門(mén)6是（BML/PSL。23. Repair設(shè)備的Process動(dòng)作是（測(cè)量-研磨-測(cè)量）。24. EUV使用的光源是（紫外線(xiàn)）。25. 外部 BM 盲失檢查區(qū)域是（ 2mm）。26. 反映BM Pattern寬度的特性值（CD ）。）。27. 請(qǐng)找出以下BGR Lin