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文檔簡介
1、 江蘇大學(xué)電子設(shè)計競賽課程設(shè)計報告設(shè)計題目: 智能電能收集充電器 專業(yè)班級: 電氣卓越1202 學(xué)生姓名: 李 斌 學(xué)生學(xué)號: 3120502009 指導(dǎo)老師: 黃振躍 徐雷鈞 陳坤華 完成日期: 2015年1月4日 課題名稱:智能電能收集充電器一、設(shè)計任務(wù)與要求:設(shè)計并制作一個電能收集充電器,充電器及測試原理示意圖如圖1。該充電器的核心為直流電源變換器,它從一直流電源中吸收電能,以盡可能大的電流充入一個可充電池。直流電源的輸出功率有限,其電動勢Es在一定范圍內(nèi)緩慢變化,當(dāng)Es為不同值時,直流電源變換器的電路結(jié)構(gòu),參數(shù)可以不同。監(jiān)測和控制電路由直流電源變換器供電。由于Es的變化極慢,監(jiān)測和控制
2、電路應(yīng)該采用間歇工作方式,以降低其能耗??沙潆姵氐碾妱觿軪c=3.6V,內(nèi)阻Rc=0.1。 1、基本要求(1)在Rs=100,Es=10V20V時,充電電流Ic大于(Es-Ec)/(Rs+Rc)。(2)在Rs=100時,能向電池充電的Es盡可能低。(3)Es從0逐漸升高時,能自動啟動充電功能的Es盡可能低。(4)Es降低到不能向電池充電,最低至0時,盡量降低電池放電電流。(5)監(jiān)測和控制電路工作間歇設(shè)定范圍為 0.1 s5s。2、發(fā)揮部分(1)在Rs=1,Es=1.2V3.6V時,以盡可能大的電流向電池充電。(2)能向電池充電的Es盡可能低。當(dāng)Es1.1V時,取Rs =1;當(dāng)Es1.1V時,取
3、Rs =0.1。(3)電池完全放電,Es從0逐漸升高時,能自動啟動充電功能(充電輸出端開路電壓3.6V,短路電流0)的Es盡可能低。當(dāng)Es1.1V時,取Rs =1;當(dāng)Es1.1V時,取Rs=0.1。(4)降低成本。(5)其他。二、設(shè)計說明:摘要:本設(shè)計包括MC34063構(gòu)成的Buck直流-直流轉(zhuǎn)換器(即DC-DC轉(zhuǎn)換器)電路,MC34063構(gòu)成的Boost型DC-DC電路,高側(cè)電流檢測電路以及由MSP430單片機構(gòu)成的監(jiān)控電路。當(dāng)直流供電電源Es低于3.6V時,用Boost電路升壓以便對電池充電;當(dāng)Es高于3.6V時,則用Buck電路降壓充電。充電電流大?。籅UCK電路BOOST電路的切換均由
4、單片機進行控制。關(guān)鍵字: MC34063 MSP430 DC-DC Buck Boost三、總體方案設(shè)計:3.1方案論證3.1.1總體方案論證當(dāng)直流供電電源Es>3.6V時,采用降壓模塊;Es<3.6V時,采用升壓模塊。將經(jīng)過升/降壓變換器后的充電電流采樣放大后送入比較器與基準(zhǔn)源比較。再將比較器的輸出信號反饋到Buck和Boost電路,調(diào)節(jié)Buck和Boost電路的PWM波,達到控制充電電流的目的。當(dāng)無法對目標(biāo)電池充電時,由單片機控制關(guān)斷變換器,盡可能地減小目標(biāo)電池的放電電流。整體結(jié)構(gòu)框圖如圖一??沙潆婋姵谽c供電直流電源EsBuckBoost采樣基準(zhǔn)源誤差放大器單片機Ic圖一 整
5、體結(jié)構(gòu)框圖3.2單元模塊方案論證3.2.1降壓單元【方案一】降壓型電荷泵式變換器。降壓型電荷泵式變換器是近幾年新出現(xiàn)的電荷泵式變換器,具有轉(zhuǎn)換效率高,開關(guān)噪聲小,電路簡單,耗電少等優(yōu)點,是比較理想的高效微功率DC-DC變換器?!痉桨付坑蒚L494構(gòu)建的Buck型DC-DC變換電路。TL494是常用的開關(guān)電源控制芯片,可以方便的構(gòu)建BUCK變換電路,且其內(nèi)部的兩個晶體管并聯(lián)后可以輸出500mA的電流,若用于本題則可省去外部開關(guān)管?!痉桨溉坎捎肕C34063集成型Buck型DC-DC變器構(gòu)建電路。MC34063是一種集成了開關(guān)管的高效Buck型變換器集成電路,其最大輸出電流為500mA,可以滿
6、足本題需要,且其工作電壓范圍為6.5V-45V,外部僅需要一個電感兩個電阻三個電容和一個續(xù)流二極管即可正常工作?!痉桨副容^】由于大多數(shù)降壓式電荷泵IC最高工作電壓均為6V左右,且輸出電流大多數(shù)小于100mA,因此在本設(shè)計中沒有采納此方案。TL494要求電源電壓必須高于7.5V才能正常工作,可能對實現(xiàn)題目指標(biāo)產(chǎn)生不利影響,因此該方案也不被選擇。MC34063外圍電路簡單,且在大多數(shù)情況下其轉(zhuǎn)換效率均可高于80%,因此最終采用這種方案。圖二 Buck電路基本結(jié)構(gòu)3.2.2 升壓電路單元【方案一】由TL494構(gòu)建的推挽式升壓變換器。TL494可以方便的構(gòu)建推挽式變換器,但因為引入了變壓器,必然導(dǎo)致效
7、率不及非隔離式的升壓型變換器,且因為在升壓工作時無論是Es還是Ec均不會高于3.6V,因此無法維持TL494的正常工作。故放棄此方案?!痉桨付坎捎肕C34063開關(guān)電源芯片制作BOOST升壓電路。MC34063是單片雙極型開關(guān)電源集成電路,可用于構(gòu)建BUCK、BUCK-BOOST、BOOST等多種結(jié)構(gòu)的DC-DC變換器,由于其內(nèi)部集成有功率開關(guān)管,使用很簡單的外圍電路就能構(gòu)成Boost電路。且其控制器部分在3.0V就可正常工作,能滿足在3.6V供電條件下正常工作,因此最后選擇這種方案。3.2.3 控制單元【方案一】采用89C51系列單片機作為控制核心。由于51系列單片機面世時間較早,因此雖然
8、價格便宜易使用,但是有諸如功耗高、速度低、內(nèi)部集成的設(shè)備少等一系列的缺點?!痉桨付坎捎肕SP430F系列作為控制核心。MSP430系列單片機功耗很低,且集成的設(shè)備也很豐富,具有較強的數(shù)據(jù)處理能力。 【方案選擇】 51系列單片機雖然上手容易,且價格低廉,但性能低下;MSP430系列單片機功耗很低,且集成的設(shè)備也很豐富,具有較強的數(shù)據(jù)處理能力,且性能較強,故本設(shè)計采用MSP430F作為控制單元核心。3.2.4 提高效率的設(shè)計【方案一】采用新技術(shù),如對MOSFET采用軟開關(guān)工作方式,避免開關(guān)管在硬開關(guān)條件下的較大開關(guān)損耗,從而可顯著提高轉(zhuǎn)換器的效率,或采用同步整流方式降低續(xù)流管上的損耗;可以采用交
9、錯式開關(guān)對,因其工作相位恰互相相差180°,可以很好的抵消輸出紋波?!痉桨付吭谠O(shè)計諸如PCB板等部件時注意細節(jié),如果采用70微米或105微米厚銅層電路板,走線時盡可能粗短,輸入濾波電容和輸出濾波電容盡可能靠近開關(guān)管和電感,以使三者環(huán)路面積最小,盡可能減小由紋波電流而產(chǎn)生的損耗;在制作電感時采用鐵硅鋁或鐵鎳鉬材料的磁環(huán),相比26材鐵粉芯(即常用的黃白環(huán))能顯著減小電感線圈鐵損,繞線時采用多股漆包線或紗包線,以盡可能減小由趨膚效應(yīng)導(dǎo)致的銅損。3.3硬件系統(tǒng)設(shè)計3.3.1 Buck電路當(dāng)Es>3.6V時,需通過升壓電路將Es降低到稍大于3.6V,以實現(xiàn)能向電池充電的Es盡可能小。本
10、設(shè)計采用MC34063實現(xiàn)降壓過程。MC34063引腳圖及內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖及Buck電路見附錄一。其輸出電壓為 OUTR1R2 圖五3.3.2 Boost電路當(dāng)Es<3.6V時,需通過升壓電路將Es升高到稍大于3.6V,否則無法實現(xiàn)充電過程。本設(shè)計采用MC34063控制芯片,可實現(xiàn)從0.8V升到3.6V。由電流檢測電路的比較輸出信號控制其PWM 波占空比。MC34063引腳圖和內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖以及具體BOOST 電路見附件一。其輸出電壓為 (公式一)8 1MC340635 4RRROUT RaRb 圖四 3.3.4 啟動電路設(shè)計由穩(wěn)壓管和1/4LM324組成一個鎖定電路。當(dāng)電壓低于2.1V時,將單片
11、機鎖定;當(dāng)高于2.1V時,解鎖單片機(單片機在電壓高于2.1V時才能正常工作)。單片機解鎖后,將按照程序設(shè)定啟動相應(yīng)轉(zhuǎn)換模塊,待模塊穩(wěn)定后接通被充電電池,向其充電。3.4軟件系統(tǒng)設(shè)計系統(tǒng)選用的主控制器是MSP430F單片機,軟件設(shè)計包括主程序和A/D采樣子程序兩部分。3.4.1主程序主程序包含有A/D采樣子程序。在AD采樣讀取成功后對數(shù)據(jù)進行分析,并選擇合適的基準(zhǔn)源。該過程結(jié)束后進入低功耗模式,等待下一個采樣周期的到來。3.4.2 A/D采樣子程序A/D使用通道0進行電流檢測。單片機給A/D發(fā)出通道選擇信號,然后等待A/D芯片轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù),最后讀取其數(shù)據(jù)。開始清除低功耗標(biāo)志 使能A/DA/D單次采
12、樣并讀取樣值關(guān)閉A/D基準(zhǔn)選擇進入低功耗狀態(tài)開始初始化程序轉(zhuǎn)換完?送轉(zhuǎn)換的地址通道讀A/D轉(zhuǎn)換器返回NY 主流程 A/D子程序圖3.5 PCB設(shè)計:Boost電路Buck電路控制電路MC34063引腳及內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖電流檢測電路LM324引腳及內(nèi)部結(jié)構(gòu)四、調(diào)試、測試報告:各項功能是否成功,各項性能的實測結(jié)果。4.1測試方案測試方案見附錄四,測試所用儀器見附錄四4.2測試結(jié)果4.2.1充電電流Ic測試結(jié)果如表1: (Rs=0.1R,Es<1.1V) 表1 充電電流測試 Es/V 0.296 0.509 1.012 1.099 Ic/mA 88 145 302 335以上數(shù)據(jù)輸出電壓用四位半表測
13、得,輸出電流用五位半表測得;輸入電壓和輸入電流均用四位半表測得。4.2.2充電電流Ic測試結(jié)果如表2: (Rs=1,)表1 充電電流測試 Es/V12121.5152.4092.6943.004 Ic/A2833666497508584.2.3充電電流Ic測試結(jié)果如表3: (Rs=100) 表1 充電電流測試 Es/V1113151720 Ic/mA73.294.0115.2138.9177.2五、總結(jié):由MC34063構(gòu)成的開關(guān)電源雖然價格便宜,應(yīng)用廣泛,但它的局限性也是明顯的。比如效率偏低,對于降壓的應(yīng)用一般只有70%左右輸出電壓低時效率更低這就使它不能用在某些對功耗要求嚴(yán)格的場合;其次,
14、由于占空比范圍偏小這就限制了它的動態(tài)范圍,在某些輸入電壓變化較大的場合不適用;再次由于開環(huán)誤差放大,所以占空比不能鎖定,這就給電路參數(shù)的選擇帶來麻煩,電感量和電容量不得不數(shù)倍于理論計算值才能達到預(yù)期效果。由于芯片功能限制,升壓模塊完成效果不是很好,啟動電壓比較高,大于1.1V。 鑒于這些缺陷我們可以做一些改進,比如當(dāng)開關(guān)頻率很高時,電感可選用多線并繞,以降低趨膚效應(yīng)的影響,提高整體效率;管腳3處連接的電容選擇工業(yè)陶瓷電容改善電路的高頻特性;同時根據(jù)題目要求,采用間歇工作方式。六、參考文獻開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)用技巧 沙占友,馬洪濤著;中國電力出版社,09.2開關(guān)電源技術(shù)與典型應(yīng)用 路秋生著;電
15、子工業(yè)出版社,09.3逆變技術(shù)基礎(chǔ)與應(yīng)用 曲學(xué)基等著;電子工業(yè)出版社,07.逆變電源設(shè)計與指導(dǎo) 陳賢忠著,機械工業(yè)出版社,08.7模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡明教程 楊素行主編;高等教育出版社,06.5全國大學(xué)生電子設(shè)計競賽獲獎作品匯編 北京理工大學(xué)出版社,04.8七、附件附件:源程序代碼#include <MSP430.h> #include<zhongduan.h>#include <digonghao.h>#include <macrose.h>#define uchar unsigned
16、char #define uint unsigned int#define OUT1_0 (PORTB=PORTB&0xfe) #define OUT1_1 (PORTB=PORTB|0x01) #define OUT2_0 (PORTB=PORTB&0xfd) #define OUT2_1 (PORTB=PORTB|0x02) uint value,dis_v
17、al; uchar i,flag; uchar CNT;unsigned int t=0;/*/void port_init(void) PORTA = 0x7F; DDRA = 0x7F; PORTB = 0xFF; DDRB = 0xFF; PORTC = 0xFF; DDRC = 0x
18、FF; PORTD = 0xFF; DDRD = 0xFF; /*/void timer0_init(void) /定時器0初始化 TCNT0 = 0x83; /1ms定時初值 OCR0 = 0x7D; /定時器0的計數(shù)預(yù)分頻 TCCR0 = 0x03; /*/#pragma interrupt_handler timer0_ovf_
19、isr:10 /T/C0中斷服務(wù)函數(shù)void timer0_ovf_isr(void) TCNT0 = 0x83; /重裝1ms定時初值 if(+i>3)i=0; switch(i) /case 0:PORTA=SEG7dis_val%10;PORTC=ACT0;break; /case 1:PORTA=SEG7(dis_val/10)%10;PORTC=ACT1;break; /case 2:PORTA=SEG7(di
20、s_val/100)%10;PORTC=ACT2;break;/ case 3:PORTA=SEG7dis_val/1000;PORTC=ACT3;break; default:break; /*/void timer1_init(void) / TCNT1H = 0xE7; /50ms定時初值 TCNT1L = 0x96;/ TCCR1B = 0x03; /定時器0的計數(shù)預(yù)分頻/*/#pragma
21、interrupt_handler timer1_ovf_isr:9 /T/C1中斷服務(wù)子函數(shù)void timer1_ovf_isr(void) TCNT1H = 0xE7; /重裝50ms定時初值 TCNT1L = 0x96; /*/void adc_init(void) ADMUX = 0xC0;/通道0 ACSR = 0x80; /關(guān)掉模擬比較器 AD
22、CSR = 0xE3; /*/#pragma interrupt_handler adc_isr:15 /ADC中斷服務(wù)子函數(shù)void adc_isr(void) /conversion complete, read value (int) using. value=ADCL; v
23、alue|=(int)ADCH << 8; flag=1; /*/void init_devices(void) /芯片初始化 port_init(); timer0_init(); timer1_init(); adc_init(); TIMSK = 0x05; SREG=0x80; /*/void delay(uint k) /延時函數(shù)
24、0;uint i,j; for(i=0;i<k;i+) for(j=0;j<140;j+); void delay_ms(unsigned int t) for(;t>0;t-);/*/uint conv(uint i) /數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 long x; uint y; x=(5000*(long)i)/1023;
25、 y=(uint)x; return y; /*/void benchmark(void) unsigned char n=0; switch(n) case 0: DDRB=0x80;/B7腳設(shè)為輸出,其他較輸入 PORTB=0x00;/B7腳輸出低電平 DDRC=0x00
26、;/C端口設(shè)為輸入 PORTC=0x00; DDRD=0x00;/D端口設(shè)為輸出 PORTD=0x00; delay_ms(100000); n=1; case 1: DDRB=0x00;
27、0; DDRD=0x02; /D0腳輸出低電平 PORTD=0x00; DDRC=0x00; delay_ms(100000); n=2; /; case 2: DDRB=0x00; DDRD=0x01; /D1
28、160;PORTD=0x00; DDRC=0x00; delay_ms(100000); n=3; case 3: DDRB=0x00; DDRD=0x04; /D2 PORTD=0x00;
29、0;DDRC=0x00; delay_ms(100000); n=4; case 4: DDRB=0x00; DDRD=0x08; /D3 PORTD=0x00; DDRC=0x00; delay_ms(100000);
30、160;n=5; case 5: DDRB=0x00; DDRD=0x10; /D4 PORTD=0x00; DDRC=0x00; delay_ms(100000); n=6; case 6:
31、; DDRB=0x00; DDRD=0x20; /D5 PORTD=0x00; DDRC=0x00; delay_ms(100000); n=7; case 7: DDRB=0x00; DDRD=0x40; /D6 &
32、#160; PORTD=0x00; DDRC=0x00; delay_ms(100000); n=8; case 8: DDRB=0x00; DDRD=0x80; /D7 PORTD=0x00; DDRC=0x00;
33、;delay_ms(100000); n=9; / case 9: DDRB=0x00; DDRD=0x00; PORTC=0x00; DDRC=0x01; /C0 delay_ms(100000);
34、 n=10; case 10: DDRB=0x00; DDRD=0x00; DDRC=0x02; /C1 PORTC=0x00; delay_ms(100000); n=11; case 11:
35、; DDRC=0x04; /C2 PORTC=0x00; DDRB=0x00; DDRD=0x00; delay_ms(100000); n=12; / break; case 12: DDRB=0x00; DDRD=0x00; &
36、#160; DDRC=0x08; /C3 PORTC=0x00; delay_ms(100000); n=13; case 13: DDRB=0x00; DDRD=0x00; DDRC=0x10; /C4 PORTC=0x00;
37、 delay_ms(100000); n=14; / break; case 14: DDRB=0x00; DDRD=0x00; DDRC=0x20; /C5 PORTC=0x00; delay_ms(100000); n=15;
38、 / break; case 15: DDRB=0x00; DDRD=0x00; DDRC=0x40; /C6 PORTC=0x00; delay_ms(100000); n=16; / break; case 16:
39、160; DDRB=0x00; DDRD=0x00; DDRC=0x80; /c7 PORTC=0x00; delay_ms(100000); n=0; default:; / break; /*主程序*/void main(void) i
40、nit_devices(); while(1) benchmark(); gongnen(); delay_ms(100); shezhi (); /#define uchar unsigned char #define uint unsigned intvoid delay
41、_ms(unsigned int t) for(;t>0;t-);/啟動AD子程序void ADC_start(void) delay_ms(70000); ADMUX = 0xC0;/選擇通道0 ADCSR = 0xE3; /模數(shù)轉(zhuǎn)換子程序uint ADC_convert(void) uint ADL;/ float ADH;/ ADL=ADCL; ADH=ADCH; ADH=ADH*25
42、6+ADL; ADH=ADH*0.025; return(ADH);/返回AD值/主函數(shù)子程序void shezhi (void) unsigned temp1,temp2; PORTC=0x00;/設(shè)置寄存器 PORTD=0x00; PORTB=0x00; DDRB=0x07; while(1) PORTB&=0xFC; delay_ms(70000);/長延時 ADC_start(); temp1=ADC_co
43、nvert(); if(temp1>=19) /設(shè)定比較范圍 DDRB|=0x80; DDRD=0x00; DDRC=0x00; PORTB|=0x02; DDRB|=0X02; else i
44、f(temp1>=18) /設(shè)定比較范圍 DDRB&=0x7F; DDRD=0x01; DDRC=0x00; PORTB|=0x02; DDRB|=0X02; else if(temp1>=17) /設(shè)
45、定比較范圍 DDRB&=0x7F; DDRD=0x02; DDRC=0x00;PORTB|=0x02;DDRB|=0X02; else if(temp1>=16) /設(shè)定比較范圍 DDRB&=0x7F; DDRD=0x04; DDRC=0x00; PORTB|=0x02; DDRB|=0X02;
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