中華人民共和國電子行業(yè)軍用標準硅外延片

中華人民共和國電子行業(yè)軍用標準微波功率晶體管用硅外延片規(guī)范SJ20514-1995Specificationforsiliconepitaxialwareformicrowavepowertransistor1范圍1.1主題內(nèi)容本規(guī)范規(guī)定了微波功率晶體管用硅外延片的要求、質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準備及有關(guān)規(guī)則。1.2適用范圍本規(guī)范適用于微波功率晶體管用直徑為38mm以上的同質(zhì)硅外延片，其它半導(dǎo)體分立器件同質(zhì)硅外延片也可參照采用。1.3牌號硅外延片牌號由下列五部分組成：J一口一Sim口一口1 2 3 4 5第1部分用漢語拼音字母“J”表示軍用；第2部分用英文縮寫字母表示外延方法；第3部分用元素符號“Si”表示硅材料；第4部分表示外延片結(jié)構(gòu)；第5部分表示晶向。示例1：J—VPE—Si—n/n+〈111〉表示在〈111〉晶向的n+型襯底上生長n型外延層的硅汽相外延片。示例2：J—VPE—Si—nn/n/n—〈111〉表示〈111〉晶向的n+襯底上先生長n層再生長n層的硅汽相外延片。2引用文件GB6617--86硅片電阻率的擴展電阻探針測試方法GB6624--86硅單晶拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB12962—9l硅單晶GB12964--91硅單晶拋光片GB/T14264—93半導(dǎo)體材料術(shù)語GJB179--86 計數(shù)抽樣檢查程序及表SJ1550--79 硅外延片檢測方法SJ1551—79 硅外延層電阻率測試方法(電容一電壓法)3要求襯底襯底應(yīng)符合GB12962和GB12964的要求，晶向及晶向偏離按合同規(guī)定。性能3.2.1缺陷外延片缺陷的定義見GB/T14264，其最大允許限度應(yīng)符合表1的規(guī)定。①38mm、①50mm外延片周邊2mm環(huán)形區(qū)，①75mm、①100mm外延片周邊3mm環(huán)形區(qū)內(nèi)為免檢區(qū)，但崩邊和翹邊除外。表l外延片缺陷限度序號缺陷名稱最大允許限度l位錯個數(shù)1)IO/cm22堆垛層錯個數(shù)15/cm23滑移線3條，總長度不大于硅片直經(jīng)4大點狀缺陷2)硅片直經(jīng) 個數(shù)

mm38l50275310055點狀缺陷2）硅片直經(jīng)個數(shù)mm383505751010020638l501凹坑75210037戈H道無8桔皮無續(xù)表1序號缺陷名稱最大允許限度9、丄朋邊無10翹邊邊緣凸起不得超過1/3外延層厚度II霧無12表面沾污無13背面沾污無注：1）滑移線上位錯不計入位錯數(shù)。2）點狀缺陷包括打、粘附的微粒、凸起物、夾雜物、小丘、棱錐和蝕坑。

3.2.2厚度外延層厚度按合同規(guī)定。3.2.3厚度均勻性若無其它規(guī)定，外延層厚度變化率應(yīng)不大于5%。外延層厚度均勻性由中心點及平行和垂直于主參考面的兩條直徑上距圓周為R/3處的厚度測量值決定，按式(1)確定:孌化聿=孌化聿=式中：加k 所測厚度的最大值，卩m； 所測得厚度的最小值，umo3.2.4載流子濃度外延層載流子濃度按合同規(guī)定。3.2.5凈載流子濃度均勻性若無其它規(guī)定，當(dāng)凈載流子濃度N^lX10i5cm-3時，外延層濃度變化率應(yīng)不大于10%,而當(dāng)濃度NVlX10i5cm-3時，變化率應(yīng)不大于15%。片內(nèi)經(jīng)向凈載流子濃度變化由中心點及平行和垂直于主參考面的兩條直經(jīng)上距圓周R/3處的測量值決定，按式(2)確定：喪化率=叫-％)劉叱式中：甌3K 所測濃度的最大值，cm-30 所測得濃度的最小值，cm-3。3.2.6縱向凈載流子濃度分布外延層縱向凈載流子濃度分布模式按合同規(guī)定。4質(zhì)量保證規(guī)定4.1檢驗責(zé)任除合同或訂單中另有規(guī)定外，承制方應(yīng)負責(zé)完成本規(guī)范規(guī)定的所有檢驗。必要時，定購方或上級鑒定機構(gòu)有權(quán)對規(guī)范所術(shù)的任一檢驗項目進行檢查。4.1.1合格責(zé)任所有產(chǎn)品必須符合本規(guī)范第3章和第5章的所有要求。本規(guī)范中規(guī)定的檢驗應(yīng)成為承制方整個檢驗體系或質(zhì)量大綱的一個組成部分。若合同中包括本規(guī)范未規(guī)定的檢驗要求，承制方還應(yīng)保證所提交驗收的產(chǎn)品符合合同要求。質(zhì)量一致性抽樣不允許提交明知有缺陷的產(chǎn)品，也不能要求訂購方接收有缺陷的產(chǎn)品。4.2檢驗分類本規(guī)范規(guī)定的檢驗分為：a．試制檢驗；b．質(zhì)量一致性檢驗。4.3檢驗條件除非另有規(guī)定，各項檢驗均在下列環(huán)境條件下進行：溫度：25±3°C；相對濕度：不大于65%；大氣壓力：86?106kPa。4.4試制檢驗4.4.1試制樣本根據(jù)本規(guī)范進行檢驗的試制樣本應(yīng)能代表隨后生產(chǎn)的產(chǎn)品，并應(yīng)符合本規(guī)范規(guī)定的所有要求。4.4.2抽樣試制檢驗的抽樣由訂購方規(guī)定。必要時，由承制方和訂購方共同抽取。4.4.3檢驗地點除非另有規(guī)定，試制檢驗的地點應(yīng)是有關(guān)主管部門認可的試驗室或檢測中心。4.4.4判據(jù)除非另有規(guī)定，試制檢驗應(yīng)取適量的樣本按規(guī)范表2規(guī)定的全部檢驗項目進行檢驗，不允許出現(xiàn)不合格項目。4.5質(zhì)量一致性檢驗4.5.1檢驗批的組成一個檢驗批應(yīng)由相同牌號、相同規(guī)格、在基本相同的條件下生產(chǎn)、并在同一時間內(nèi)提交檢驗的外延片組成。4.5.2質(zhì)量一致性檢驗表格質(zhì)最一致性檢驗應(yīng)按GJB179—次抽樣方案進行。檢驗項目、檢驗方法及可接受質(zhì)量水平(AQL)應(yīng)符合表2的規(guī)定。當(dāng)合同另有規(guī)定時按合同執(zhí)行。表2質(zhì)量一致性檢驗項目要求的章條號檢驗方法的章條號檢查水平可按收受質(zhì)量水平(AQL)缺陷3.2.1表14.7.11.0厚度3.2.24.7.26.5厚度均勻性3.2.34.7.26.5載流子濃度3.2.44.7.36.5凈裁流子濃度3.2.54.7.36.5均勻性II縱向載流子濃度分布3.2.64.7.46.54.5.3不合格按表2所列各檢驗項目全部合格的檢驗批為合格批。若有任何一項檢驗不合格則該批為不合格。4.5.4批的再提交如果某一檢驗批被拒收，承制方可以剔除所有不合格品后重新進行檢驗。重新交付的檢驗批應(yīng)與正常批分開，并應(yīng)清楚地標明“重新檢驗批”重新提交的批應(yīng)采用加嚴檢查方案。如仍有不合格的項目則該檢驗批為不合格。4.6包裝檢驗用目視法進行本規(guī)范第5章規(guī)定的包裝和標志檢驗。任一運輸包裝箱不符合第5章的要求時應(yīng)拒收。4.7檢驗方法4.7.1缺陷的檢驗：位錯和堆垛層錯密度的檢驗按SJ1550第3章方法進行。翹邊檢驗方法按合同規(guī)定。表l所列其它缺陷的檢驗按GB6624規(guī)定進行。大點狀缺陷采用大面積散射光源，點狀缺陷采用高強度狹束光源。4.7.2厚度及其均勻性檢驗按SJ1550第2章方法進行。4.7.3凈載流解子濃度及其均勻性檢驗按SJ1551方法進行。4.7.4縱向載流子濃度分布檢驗按GB6617方法進行。5交貨準備5.1包裝5.1.1內(nèi)包裝硅外延片應(yīng)豎直、分立放置于塑料盒內(nèi)，表面同向，防止沾污和振動，確保傳遞和貯存時不造成污損。每個盒外側(cè)應(yīng)帖標識，注明產(chǎn)品牌號、外延層厚度和載流子濃度、數(shù)量、生產(chǎn)批號及合同號。5.1.2外包裝將裝有硅外延片的若干個盒裝入箱內(nèi)，周圍用軟質(zhì)填充料填充，使盒體在箱內(nèi)不能自由移動。放入裝箱單和合格證書后加蓋固封。包裝箱應(yīng)有足夠強度，不易變形。5.2運輸和貯存產(chǎn)品在運輸過器中應(yīng)防止化學(xué)物質(zhì)腐蝕，碰撞和受潮。產(chǎn)品應(yīng)貯存在干燥、潔凈的環(huán)境中。5.3標志每一包裝箱外應(yīng)注明：a．制造廠名稱；b．產(chǎn)品名稱；c．?dāng)?shù)量；d．合同號；e．出廠日期；f．防震、防潮、防壓標記6說明事項6.1預(yù)定用途本規(guī)范規(guī)定的硅外延片預(yù)定用