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第一章真空技術(shù)基礎(chǔ)真空的基本知識(shí)稀薄氣體的基本性質(zhì)真空的獲得真空的測(cè)量真空與薄膜材料與技術(shù)有何關(guān)系?
幾乎所有的現(xiàn)代薄膜材料制備都需要在真空或較低的氣壓條件下進(jìn)行
都涉及真空下氣相的產(chǎn)生、輸運(yùn)和反應(yīng)過(guò)程;了解真空的基本概念和知識(shí),掌握真空的獲得和測(cè)量技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)
是了解薄膜材料制備技術(shù)的基礎(chǔ)!1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)中學(xué)物理內(nèi)容:1643年
托里切利
(Torricelli)著名的大氣壓實(shí)驗(yàn)
為人類首次揭示了真空
這個(gè)物理狀態(tài)的存在!
管內(nèi)水銀柱上方空間內(nèi),因已排除空氣的存在而形成真空(托里切利真空)圖中A、B、C三點(diǎn)壓力相等,A、C點(diǎn):大氣壓;B點(diǎn):水銀柱產(chǎn)生的壓力
換句話說(shuō):可用水銀柱產(chǎn)生的壓力作為大氣壓力的量度!
把高度為760mm的水銀柱所產(chǎn)生的壓力定義為1個(gè)大氣壓(1atm)
1atm=760mmHg!結(jié)果:得到了“真空”的物理存在和大氣壓的定義與量度依據(jù)!1.1真空的基本知識(shí)概念:利用外力將一定密閉空間內(nèi)的氣體分子移走,
使該空間內(nèi)的氣壓小于1個(gè)大氣壓,
則該空間內(nèi)的氣體的物理狀態(tài)就被稱為真空。注意:真空,實(shí)際上指的是
一種低壓的、稀薄的氣體狀態(tài),
而不是指“沒有任何物質(zhì)存在”!因此,真空可分為現(xiàn)代真空技術(shù)的極限:每cm3空間內(nèi)僅有數(shù)百個(gè)氣體分子
對(duì)應(yīng)氣壓
10-12Pa絕對(duì)真空是不存在的!1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)1.1.1真空的定義及其度量單位1.1.1真空的定義及其度量單位
真空的實(shí)質(zhì):一種低壓氣體物理狀態(tài)
真空度采用氣體壓強(qiáng)表征
真空度的單位=氣體壓強(qiáng)的單位
注意:真空度和氣壓的意義相反
真空度
意味著氣壓
主要單位制
換算基礎(chǔ):1N=105dyne=0.225lbf1atm=760mmHg(torr)=1.013×105
Pa=1.013bar1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)法定計(jì)量單位標(biāo)準(zhǔn)大氣壓定義?1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)1.1.1真空的定義及其度量單位目前標(biāo)準(zhǔn)大氣壓定義:0oC,水銀密度;重力加速度時(shí),760mm水銀柱所產(chǎn)生的壓強(qiáng)為1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,用atm表示,則:在此基礎(chǔ)上,可以導(dǎo)出壓強(qiáng)的非法定單位與帕之間的關(guān)系.標(biāo)準(zhǔn)大氣壓定義1.1.1真空的定義及其度量單位
不同真空度單位制間的換算關(guān)系:說(shuō)明:1、mmHg是人類使用最早、最廣泛的壓強(qiáng)單位;
1958年為紀(jì)念托里切利,用托(torr)代替了mmHg:1torr=1mmHg2、早期的真空度計(jì)量常以torr或mbar為單位;
目前隨著標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程的推進(jìn),SI(MKS)制單位應(yīng)用日漸廣泛
真空度用Pa作單位torr/mmHgPabaratmPSI1torr
(1mmHg)1.333×102
(1.013×105/760)1.333×10-3
(1.013/760)1.316×10-3
(1/760)1.9337×10-21Pa7.501×10-3
(760/1.013×105)10-59.869×10-6
(1/1.013×105)1.4504×10-41bar7.501×1021059.869×10-11.4504×1011atm760.01.013×1051.0131.4696×1011PSI51.71496.8948×1036.8948×10-26.8046×10-2法定計(jì)量單位1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)記憶:33441.1.2真空度的劃分1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)氣態(tài)空間近似為大氣狀態(tài),分子以熱運(yùn)動(dòng)為主,分子之間碰撞頻繁。低真空,可以獲得壓力差而不改變空間的性質(zhì)。(如吸塵器、抽濾)容器中分子數(shù)很少,分子平均自由程大于一般容器的線度,分子流動(dòng)為分子流,分子與容器壁碰撞為主,在此真空下蒸發(fā)材料,粒子將按直線飛行。(拉制單晶、表面鍍膜、電子管生產(chǎn))中真空,氣體分子密度與大氣狀態(tài)有很大差別。氣體分子的流動(dòng)從黏滯流狀態(tài)向分子狀態(tài)過(guò)渡,氣體對(duì)流現(xiàn)象消失。氣體中帶電離子在電場(chǎng)作用下,
產(chǎn)生氣體導(dǎo)電現(xiàn)象。(離子鍍、濺射鍍膜等氣體放電和低溫等離子體相關(guān)鍍膜技術(shù))氣體分子數(shù)更少,幾乎不存在分子間碰撞,此時(shí)氣體分子在固體表面上是以吸附停留為主。入射固體表面的分子數(shù)達(dá)到單分子層需要的時(shí)間也較長(zhǎng),可以獲得純凈表面。(薄膜沉積、表面分析…)氣體分子入射固體表面的頻率已經(jīng)很低,可以保持表面潔凈。適合分子尺寸加工及納米科學(xué)的研究。1.1.3氣體與蒸氣1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1真空的基本知識(shí)臨界溫度:對(duì)于每一種氣體都有一個(gè)特定的溫度,高于此溫度,氣體無(wú)論如何壓縮都不會(huì)液化,這個(gè)溫度稱為該氣體的臨界溫度。溫度高于臨界溫度的氣態(tài)物質(zhì)稱為氣體,低于臨界溫度的氣態(tài)物質(zhì)稱為蒸氣。實(shí)際應(yīng)用中,通常以室溫標(biāo)準(zhǔn)來(lái)區(qū)分氣體和蒸氣。表1-2各種物質(zhì)的臨界溫度。P3氣態(tài)的兩種形式常見物質(zhì)的臨界溫度:空氣-1400C;氧氣-1180C;
氮?dú)?267.80C酒精2430C;水374.20C;Fe37000C1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.1理想氣體定律(一定質(zhì)量的氣體)式中:n—分子密度(個(gè)/m3);k—玻爾茲曼常數(shù),1.38×10-23J/K;P—?dú)怏w壓強(qiáng)(Pa);T—?dú)怏w溫度(K);V—?dú)怏w體積(m3);m—?dú)怏w質(zhì)量(kg);M—?dú)怏w分子量(kg/mol);R—普適氣體常數(shù),R=NA·k=8.314J/mol·K;NA—Avogadro常數(shù),6.02×1023
個(gè)/mol;
Avogadro定律:
一定溫度、壓力下,各種氣體單位體積內(nèi)含有的分子數(shù)相同。理想氣體狀態(tài)方程:或(1)波義耳定律T恒定(2)蓋呂薩克定律P恒定(3)查理定律V恒定1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)氣體分子密度1.2.2氣體分子的速度分布在平衡狀態(tài)時(shí),分布在任一速度區(qū)間v~v+dv內(nèi),分子的幾率,滿足麥克斯韋-波爾茲曼分布:麥克斯韋速度分布函數(shù)物理意義是:速率在v附近的單位速率區(qū)間的分子數(shù)占分子總數(shù)的百分比;或者說(shuō)一個(gè)分子的速率在速率v附近單位速率區(qū)間的概率。因此,也叫做分子速率分布的概率密度。
1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.2氣體分子的速度分布1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)平衡溫度越低,曲線越陡,分子按速率分布越集中;溫度越高,曲線越平緩,分子按速率分布越分散。1.最可幾速率(速率極大值?)2.平均速率3.均方根速率討論速度分布計(jì)算分子運(yùn)動(dòng)平均距離計(jì)算分子平均動(dòng)能1.2.2氣體分子的速度分布1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)物理意義是:若把整個(gè)速率范圍分成許多相等的小區(qū)間,則Vm所在的區(qū)間內(nèi)的分子數(shù)占分子總數(shù)的百分比最大,又稱為最概然速率。利用概率求平均值,對(duì)于連續(xù)型隨機(jī)變量,若分布函數(shù)為P(X),則統(tǒng)計(jì)平均值定義為:例1.
計(jì)算400K溫度下氧氣的方均根速率、平均速率和最可幾速率。1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.2氣體分子的速度分布1.最可幾速率2.平均速率3.均方根速率空氣25℃時(shí)每個(gè)氣體分子在與其它氣體分子連續(xù)2次碰撞之間運(yùn)動(dòng)經(jīng)歷的路程。平均自由程():氣體分子自由程的統(tǒng)計(jì)平均值。
1.2.3氣體分子的自由程(
)σ-分子直徑;n-分子密度P=10-4Pa時(shí),P=10-3Pa時(shí),薄膜技術(shù)中最常用的真空度為10-4Pa,自由程大約是66米。即使再差,10-3Pa,自由程大約是6.6米。1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)氣體吸附:
氣體吸附就是固體表面俘獲氣體分子的現(xiàn)象。分為物理吸附和化學(xué)吸附。物理吸附靠分子間的相互吸引引起的,任何氣體在固體表面均會(huì)發(fā)生,吸附后容易脫附?;瘜W(xué)吸附在較高溫度下發(fā)生,只有當(dāng)氣體與固體表面原子接觸生成化合物時(shí)才能產(chǎn)生吸附作用,氣體不易脫附。氣體脫附
是氣體吸附的逆過(guò)程。影響因素:氣體的壓強(qiáng)、固體的溫度、固體表面吸附氣體的密度以及固體本身的性質(zhì)如光潔程度、清潔度等1.2.4碰撞次數(shù)與余弦散射定律(氣體分子與表面的相互作用)1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)包括:氣體分子跟器壁表面的碰撞,也包括反射或被吸附。1.2.4碰撞次數(shù)與余弦散射定律入射頻率ν(入射通量或碰撞次數(shù)):?jiǎn)挝粫r(shí)間,在單位面積的器壁上發(fā)生碰撞的氣體分子數(shù)赫茲-克努曾公式描述氣體熱運(yùn)動(dòng)重要公式1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)入射頻率P=1.3*10-4Pa,T=270C襯底完全被一層分子覆蓋所需時(shí)間:N為表面原子密度常溫常壓下,潔凈表面被雜質(zhì)完全覆蓋所需時(shí)3.5
10-9s,而在10-8Pa的高真空中,這一時(shí)間為10h。所以在薄膜制備技術(shù)中獲得和保持適當(dāng)?shù)恼婵斩仁呛苤匾摹?.2.4碰撞次數(shù)與余弦散射定律1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)例1,求0℃,P=1.3
10-4Pa氧氣,1)氣體分子密度;2)分子平均速度;3)平均自由程;4)碰撞次數(shù);5)固體表面形成形成單分子層的時(shí)間;6)每分鐘成膜厚度。(已知0℃氧氣分子直徑3.6
10-8cm,單分子層分子數(shù)8.7
1014個(gè)/cm2)解:(1)氣體分子密度(2)分子平均速度
(3)平均自由程1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)4)碰撞次數(shù)5)固體表面形成形成單分子層的時(shí)間6)每分鐘成膜厚度若P=1.3
10-8Pa,t=2.3
104s1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)課本P6反射情況碰撞于固體表面的分子,它們飛離表面的方向與原入射方向無(wú)關(guān),并按與表面法線方向成θ角的余弦進(jìn)行分布。一個(gè)分子在離開其表面時(shí),處于立體角dω中的幾率為理論與實(shí)驗(yàn)研究證明了如下的余弦定律。1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.4碰撞次數(shù)與余弦散射定律余弦定律(又稱克努曾定律),重要意義在于:它揭示了固體表面對(duì)氣體分子作用的另一個(gè)方面,即分子原有的方向性徹底“消除”,均按余弦定律散射。分子在固體表面上要停留一定的時(shí)間,這是氣體分子能夠與固體進(jìn)行能量交換和動(dòng)量交換的先決條件,這一點(diǎn)有重要意義。1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.4碰撞次數(shù)與余弦散射定律想要得到高純度的薄膜,就必須盡量在較高真空度的環(huán)境下,或是在不會(huì)與薄膜材料產(chǎn)生反應(yīng)的氬氣等的惰性氣體中進(jìn)行。(1)避免被蒸發(fā)分子或原子與氣體分子發(fā)生碰撞;(2)避免被蒸發(fā)分子或原子與氣體分子發(fā)生反應(yīng)。特例:也有故意讓原料氣體和其它氣體發(fā)生反應(yīng)而產(chǎn)生新的性質(zhì)優(yōu)良的材料的情形,這種稱為反應(yīng)性濺鍍或是反應(yīng)性蒸鍍。1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.5真空在薄膜制備中的作用1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.5真空在薄膜制備中的作用
蒸發(fā)分子在行進(jìn)中,一部分會(huì)被殘余氣體分子碰撞而散亂。設(shè)N0個(gè)蒸發(fā)分子行進(jìn)距離d后未受到殘留氣體分子碰撞的數(shù)目為:被碰撞的分子N1與總分子數(shù)N0的比例關(guān)系:當(dāng)平均自由程等于蒸發(fā)源到基片的距離時(shí),有63%的分子會(huì)受到散射;平均自由程增大10倍,則碰撞的分子數(shù)減少到9%。當(dāng)平均自由程比蒸發(fā)源到基片的距離大的多的情況下,才能有效地減少碰撞。e=2.718真空度對(duì)薄膜質(zhì)量的影響考慮自由程:薄膜技術(shù)中最常用的真空度為10-4Pa,自由程大約是66米。即使再差,10-3Pa,自由程大約是6.6米。所以不需要考慮飛行中的薄膜材料(蒸發(fā)分子)和殘存氣體沖撞所產(chǎn)生的影響。
P=10-4Pa時(shí),P=10-3Pa時(shí),1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.5真空在薄膜制備中的作用1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.2稀薄氣體的性質(zhì)1.2.5真空在薄膜制備中的作用殘余氣體分子到達(dá)基片的速率:蒸發(fā)分子到達(dá)基片的速率:1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.3真空的獲得1.3.1氣體的流動(dòng)狀態(tài)高真空時(shí),氣體分子除與容器壁碰撞外,幾乎不發(fā)生氣體分子間的相互碰撞。這種氣體流動(dòng)狀態(tài)稱為分子流動(dòng)狀態(tài)。分子流動(dòng)狀態(tài)的特點(diǎn)是氣體分子的平均自由程超過(guò)了氣體容器的尺寸或與其相當(dāng)。氣壓較高時(shí),氣體分子的平均自由程很短,氣體分子相互碰撞極為頻繁。這種氣體流動(dòng)狀態(tài)稱為氣體的粘滯流動(dòng)狀態(tài)。粘滯流動(dòng)狀態(tài)物理機(jī)理復(fù)雜。低速流時(shí),粘滯流動(dòng)處于層流狀態(tài)。
氣體流速較高,各種氣體流動(dòng)方向間不再能保持相互平行的狀態(tài),而呈現(xiàn)出一種旋渦式的流動(dòng)形式。流動(dòng)氣體中出現(xiàn)一些低氣壓的漩渦,流動(dòng)路徑上的任何微小阻礙都會(huì)對(duì)流動(dòng)產(chǎn)生很大影響,這種流動(dòng)狀態(tài)稱滯留狀態(tài)。氣體流動(dòng)可按克努森準(zhǔn)數(shù)來(lái)劃分:Kn=D/
D為容器尺寸;為平均自由程分子流狀態(tài):Kn1
中間狀態(tài):Kn=1~110
粘滯流狀態(tài):Kn
110氣體流動(dòng)狀態(tài)與真空系統(tǒng)尺寸和氣體壓力之間的關(guān)系1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.3真空的獲得1.3.1氣體的流動(dòng)狀態(tài)目前常用獲得真空的設(shè)備有:旋轉(zhuǎn)式機(jī)械真空泵油擴(kuò)散泵復(fù)合分子泵分子篩吸附泵鈦升華泵濺射離子泵低溫泵屬于氣體傳輸泵,即通過(guò)氣體吸入并排出真空泵從而達(dá)到排氣的目的屬于氣體捕獲泵,即通過(guò)各種吸氣材料特有的吸氣作用將被抽氣體吸除,以達(dá)到所需真空。不需要油作為介質(zhì),又稱為無(wú)油泵1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.3.2真空的獲得真空的獲得:就是所謂的“抽真空”!
利用各種真空泵把容器內(nèi)的空氣抽出,使其內(nèi)部壓強(qiáng)保持在<1atm的特定壓強(qiáng)范圍!各種真空泵(Pump)極限真空(極限壓強(qiáng)Pu)和抽氣速率——是表示真空泵性能的兩個(gè)重要參數(shù)。極限壓強(qiáng)是該系統(tǒng)所能達(dá)到的最低壓強(qiáng);抽氣速率是在規(guī)定壓強(qiáng)下單位時(shí)間抽出氣體的體積,它決定抽真空所需要的時(shí)間。理論上,一個(gè)系統(tǒng)所能達(dá)到的真空度:Pu-真空泵的極限真空(Pa),Q-泵內(nèi)各種氣源(Pa·L/s),S-泵的抽氣速率(L/s),V-真空室體積(L),Pi-被抽空間氣體的分壓強(qiáng)(Pa),t-時(shí)間(s)1真空技術(shù)基礎(chǔ)1.3.2真空的獲得1.3.2真空的獲得真空泵的分類及常用工作壓強(qiáng)范圍說(shuō)明:從大氣壓力開始抽氣,沒有一種真空泵可以涵蓋從1atm到10-8Pa的工作范圍
真空泵往往需要多種泵組合構(gòu)成復(fù)合抽氣系統(tǒng)
實(shí)現(xiàn)以更高的抽氣效率達(dá)到所需的高真空!氣體輸運(yùn)泵旋片式機(jī)械泵(RotaryPump)單級(jí):105~1Pa雙級(jí):105~10-2Pa羅茨泵(BoosterPump/RootsPump)103~10-1Pa油擴(kuò)散泵(DiffusionPump)1~10-6Pa渦輪分子泵(TurbomolecularPump)1~10-8Pa
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