二極管的有源區(qū)課件

1、定義游戲規(guī)則。潘多是什么？在集成電路制造過程中，掩膜的圖形通過光刻和蝕刻傳輸?shù)焦杵?。制作集成電路時使用的這個面具的幾何形狀被定義為集成電路的布局。布局要求與該電路完全匹配的設備、端口、連接、1、PPT學習交流、閘門應用控制電壓、源極、泄漏極負責電流的流動、導電通道、1、實施單個MOS管布局、2、PPT學習交流、源區(qū)域、閘門，4，PPT學習交換，MOS管電流從源流向泄漏。通道中電流的流動距離是通道的長度。截面尺寸是通道寬度。電流方向，通道長度L，通道寬度W，2，設備大小設計，5，PPT學習交流，在設計中通常以寬度和長度值的比率，即寬高比(W/L)表示設備大小。例如：假設MOS管的大小參數(shù)為20

2、/5。標注地圖的方法。20/5，6，PPT學習通信，3，圖形繪制，7，PPT學習通信，英特爾65納米雙核處理器的掃描電鏡(SEM)剖面，8，PPT學習通信，公共層，9，PPT學習通信，PPT學習通信嚴格區(qū)分圖層效果。10，PPT學習交換，MOS設備布局層PMOS，N陷阱3354NWELL P型注入遮罩3354PSELECT活動擴散區(qū)活動多晶硅柵3354POLY引線孔CC金屬1 METAL1通孔3354VIA金屬VIA金屬來源區(qū)域(ACTIVE)、引線孔(CC)、金屬1 (METAL1)、多晶硅柵(poly)、n型注入遮罩(NSELECT)、14、PPT學習交流(1)最小寬度，例如金屬、多晶體、

3、來源區(qū)域或井必須保持最小寬度。16，PPT學習交流，(2)金屬、多晶、游樂園或井等最小間隙必須保持最小間隙。17，PPT學習交換，(3)最小邊界，例如n陷阱，n離子注入和p離子注入必須有足夠的空間包圍源區(qū)域；多晶硅、源區(qū)和金屬必須在接觸孔周圍保持一定的蓋子。18，PPT學習交換，(4)最小擴展(例如，多晶體澆口必須擴展到特定長度以上)。在遵守設計規(guī)則的情況下獲取最小布局區(qū)域，19，PPT學習交換，5，陷阱和基板連接，通常PMOS管基板高電位(正壓)；NMOS管的基板受到低電位(負壓)的影響，為了確保電路的正常運行，20，PPT學習交流，基板材料的導電性不好，為了保證接觸的效果，必須在接觸區(qū)域創(chuàng)

4、建與相同源區(qū)域相似的摻雜區(qū)域，減少接觸電阻，形成接觸區(qū)域?；灏雽w材料與電極接觸還需要引線孔(cc)。21，PPT學習交流，p管基板n井(n型材料)，電源；基板連接配置由NSELETC、ACTIVE、CC和METAL1組成，22、學習PPT AC、n管基板為基板(p型材料)、接地；基板連接配置由PSELETC、ACTIVE、CC、METAL1組成，23、PPT學習交流、整個MOS管配置必須由a)來源、灌嘴和泄漏組成。b)連接襯底。源區(qū)域、通道區(qū)域和泄漏區(qū)域稱為MOS管的活動區(qū)域，源區(qū)域以外的區(qū)域定義為場區(qū)域(Fox)。源區(qū)域和域區(qū)域的總和是整個芯片表面的基板(SUB)。，24，PPT學習交流

5、，基板連接布局，盡可能多的設置襯底連接區(qū)域，25，PPT學習交換，26，PPT學習通信，6，大型設備設計，單個MOS管的大小通道寬度通常小于20微米，寬高比W/L1 MOS管寬高比(版圖需要特殊處理。27、PPT學習交換、緩沖(buffer)、運算放大器對、系統(tǒng)輸出級別常用的大型設備。28，PPT學習交換，緩沖，管，29，PPT學習交換，緩沖的第一變頻器，30，PPT學習交換，傳輸對管，31，PPT學習交換，大型設備問題：寄生電容柵系列電阻，大面積柵和基板之間的氧化層絕緣，平板電容器形成，32，PPT學習交流，由于細長柵的串聯(lián)電阻，柵兩端電壓不同，柵電壓降低，33，PPT學習交流，MOS管寄生

6、電容值，MOS管柵系列電阻值，34，(b)第4段(W/L=50/1)，(a) MOS管W/L=200/1，36，PPT學習交流，(2)合并源/泄漏區(qū)域，4個小MMS.排序，37，PPT學習交流，(b)從左邊數(shù)第二和第四個MOS管，和泄漏交換，38，PPT學習交流，(c)重疊相鄰的s，d，39，PPT學習交流并行小MOS管數(shù)為n，并行管的長寬比柵系列電阻最初是大型管寄生電容的1/N、40、PPT學習交流，源泄漏共享僅可以在連接同一類型兩個MOS管上相同節(jié)點的端口之間進行。源泄漏共享可以在具有相同節(jié)點的兩個相同類型的MOS管(例如，和兩個p管，而不是門)之間進行！41，PPT學習交流，7，連接設備

7、，共享源泄漏后，必須連接相應的端口以形成完整的MOS管。源極，漏極分別用梳狀金屬線連接，閘門用引線連接多晶硅。注：太長的多晶硅引線會引起較大的線電阻。要減少接觸電阻，必須盡可能多地制造簧片孔，使連接42，PPT學習交流，G，S，D，并行后源和泄漏的金屬線形成“叉”結構。43，PPT學習交流，為了節(jié)省面積，可能適當減少引線孔，使金屬線跨越設備；設備為矩形，44，PPT學習通信，8，實施MOS管陣列布局(1) MOS管連接。N1的源，泄漏區(qū)域是x和y，N0的源，泄漏區(qū)域是y和z。使用源泄漏共享獲得兩個MOS管串聯(lián)的圖版。電路圖、N1和N0系列布局、N1、N0布局、45、PPT學習通信、隨機MOS管

8、連接。例如，三根莫爾斯管連接在一起。電路圖，布局，46，PPT學習交流，(2)MOS管并行(并行是源和源連接，泄漏和泄漏連接，獨立于自身的大門或。)、電路圖、布局、門水平布局、47、PPT學習交流、門垂直對齊、電路圖、布局、48、PPT學習交流、3個以上MOS管并行。大MOS管分段連接、源和泄漏并行均為金屬連接(叉指)、49、PPT學習交換、(3)MOS管耦合同時為MOS管串行和并行。50，PPT學習通信，直方圖設計：為了在電路中獲得最有效的源泄漏共享布局，您可以使用“直方圖設計”在繪制布局之前創(chuàng)建結構草圖。可以很好地解決設備布局問題。其次，集成電路布局設計方法，51，PPT學習通信，“混合條形圖”方法：方塊表示源區(qū)域(寬度不受限制)。實