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文檔簡介

1、電池片衰減分析業(yè)內(nèi)都說電池片存在衰減。國家標(biāo)準(zhǔn)中也有一條“電池片存放半年后要重新標(biāo)定”,電池衰減好象一定存在。衰減原因還與工藝有關(guān),如鈍化工藝等。但有關(guān)專家說,從電池片發(fā)電原理上分析,電池片在不暴曬,并干燥的情況下是不存在衰減的。所謂衰減主要是由測量引起的誤差,其次就是電池表面摩擦或積塵,導(dǎo)致絨面受損,影響受光而效率下降,再則是由于銀漿氧化而改變接觸電阻,導(dǎo)致填充因子下降。還有就是電池片在分選后存在隱裂而效率變低。不知各位還有什么高見好像低電阻率的硅片,可以作出高功率的電池片,但衰減很快主要跟少子壽命有關(guān)系,多次回收的材料,電阻率可能合格,但是少子壽命很低,做出來的片子轉(zhuǎn)換效率會衰減的很快。我

2、聽說衰減的解釋是:因?yàn)槲覀兌际怯玫腜型材料,里面含有硼元素,硼和氧形成硼氧復(fù)合對導(dǎo)致的衰減。光照衰減與擴(kuò)散有何關(guān)系?前一陣聽一個硅片廠家的人說,光照衰減有三個影響因素,1,片源,2,擴(kuò)散工藝,3,組件工藝。也不知是真是假的。擴(kuò)散工藝會影響到光照衰減么?是什么樣的原理呢?請高手解答一下。排除組件影響,單論電池片,衰減和材料關(guān)系最大。排除暗光時的shunt,BO衰減是主要衰減機(jī)制,和擴(kuò)散的關(guān)系。理想條件下應(yīng)該是沒有的。當(dāng)然實(shí)際生產(chǎn)中引入的雜質(zhì)、原始應(yīng)力釋放,有那么點(diǎn)關(guān)系吧。注意:上面提的是擴(kuò)散工藝而非擴(kuò)散,高溫擴(kuò)散不同的溫度可改變硅片的性質(zhì)。光照衰減根據(jù)尚德的研究最主要是硅片內(nèi)硼與氧原子的結(jié)合所導(dǎo)

3、致的,所以跟擴(kuò)散相關(guān)性不大的。探討一下單晶組件的初期光衰減單晶硅電池組件在初期會有2%-4%的光衰減(持續(xù)光照1到2天或者1個太陽下1到2小時),這已被很多測試所證實(shí),目前各組件廠家對此衰減的影響態(tài)度不一,我咨詢了若干組件廠,大部分覺得無所謂,因?yàn)橘u出去的時候很多客戶不懂,只測一個初期效率,只要保證20年80%以上效率即可。只有做大電站的客戶才對此數(shù)據(jù)敏感,因此一般大廠比價重視初期光衰減,比如尚德。想請問一下各位,此衰減真的對你的用戶無所謂嘛?如果能夠花一些成本來抑制或者消除初期光衰是否廠家愿意采用呢?組件的衰減關(guān)鍵是單個電池片的衰減。當(dāng)然,封裝材料,EVA,背膜的老化等在后期使用中也會造成組

4、件功率的衰減。單純生產(chǎn)組件的加工廠,如果想從本環(huán)節(jié)去減少這種衰減難度很大。然而如果把這個問題交給電池片生產(chǎn)廠去解決的話,這不僅僅靠生產(chǎn)工藝就能解決的問題,還有待于核心技術(shù)的提高請教光致衰減和波長的關(guān)系關(guān)于光照會造成晶體硅電池體內(nèi)的硼和氧結(jié)合成硼氧對,形成復(fù)合中心,縮短電池壽命。那么這種機(jī)理跟波長有沒有關(guān)系?是否某波長以下的光子才會形成硼氧對,而長波長影響較小?1. 衰減只是會降低效率, 跟電池壽命沒有必然聯(lián)系吧.2. 在正常的波長范圍內(nèi)(300nm-1100nm), 光致衰減都會發(fā)生, 且與波長大小沒有關(guān)系. 因?yàn)楣庵滤p本質(zhì)上是與入射光子激發(fā)的載流子有關(guān).3. 衰減的快慢與光強(qiáng)有關(guān), 光強(qiáng)小

5、, 衰減慢.電池片衰減的問題剛做好的電池片180瓦的72片,理論一般都在17.25的效率,在倉庫放了一天,在做成組件,就相差5到6瓦,測試環(huán)境都是標(biāo)準(zhǔn)的組件衰減各位兄弟姐妹,您們好!對于組件來說,我是很茫然的,前兩天開會老大下了一個任務(wù),就是對組件的衰減問題提出探討可是我真的是不懂啊!在此,向各位咨詢一下幾個問題:()組件為什么衰減?原理是什么?()如何使組件輸出功率達(dá)到一個穩(wěn)定?原理是是什么?()(這個問題估計是光伏界都關(guān)心的問題八)怎樣才能使組件減少衰減?!擺脫各位了,不管是經(jīng)驗(yàn)還是理論,還是您手上能夠共享的資料,請賜教,在下感激的很!有機(jī)會一定請客吃飯!我也是菜鳥,道聽途說了一些,共享之

6、:組件的功率測定是在實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)條件下進(jìn)行的,拿到室外使用,因?yàn)榄h(huán)境(氣溫、光照等)不同測試出來的結(jié)果肯定不一樣,一般來說大概會5%或更多的功率下降。組件在使用一段時間后就會達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),至于如何減少衰減,關(guān)鍵還是從材料、技術(shù)包括生產(chǎn)過程來控制了太陽能電池板衰減和什么有關(guān)太陽能電池板衰減和什么有關(guān)各位大蝦,有誰知道太陽能電池板的衰減和什么有關(guān)系!要注意什么?單晶主要是因?yàn)楣庹障卵跖鸱磻?yīng),生成復(fù)合中心降低少子壽命。所以現(xiàn)在又摻鎵的P型硅片,正是出于這點(diǎn)考慮,但是鎵原子比較大,也會有一些負(fù)面效應(yīng)非晶的話比較復(fù)雜,一說是因?yàn)镠在光照下一系列復(fù)雜反應(yīng)。不知道是哪家的電池,衰減主要是衰減電流,怎么會衰減電

7、壓呢電池衰減為什么單晶比多晶衰減的多,大約兩個百分點(diǎn)!關(guān)于光致衰減的問題最近幾年,單晶硅電池光致衰減過大的問題是一個不能回避的大問題達(dá)到6-10%;如組件公司在包裝時上下偏差組件混裝,而終端用戶安裝時未重新分檔,組件不匹配問題也引起功率下降。上述兩個問題直接導(dǎo)致終端用戶電站實(shí)際發(fā)電功率比理論計算值大為減少。這是一個很實(shí)際的問題,不知各位大蝦有否好的解決辦法。謝謝!關(guān)于衰減現(xiàn)在好多的廠家都在做衰減實(shí)驗(yàn),小弟想問下都是用的什么燈?衰減的時候需要模擬組件在日光下的情況嗎?我們公司都是在外面曬太陽只是在外面曬太陽測試的組件衰減是不準(zhǔn)確的,要加上負(fù)載的.衰減有很多講究的: 1、你的來料,也就是Wafer

8、的電阻率等參數(shù) 2、擴(kuò)散后的電阻值 3、光源 4、玻璃的厚度和透光性等規(guī)格 還有要考慮環(huán)境的影響,環(huán)境差的會加速氧化.對于樓上的戶外衰減,根據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),組件必須處于短路狀態(tài),總承受60KWH/M2的光照。衰減程度的標(biāo)準(zhǔn)是小于等于5%吧組件壽命衰減的因素 大家好,在組件的使用過程中,組件的壽命逐漸衰減,直到25年后,衰減功率的20%,在此期間,有EVA的老化降低透過率,背板老化降低安全因素,請問有沒有影響電池片的方面(比如光譜相應(yīng)會不會降低,會不會影響少子壽命)?期待專家指教??隙ㄓ械睦?,做過試驗(yàn),不同的電池片用相同的輔助材料做出的組件頭幾天的衰減都不一樣!為什么摻鎵的cell效率衰減也很高不知

9、道是不是我們衰減測試的方法有問題啊我們就是用很強(qiáng)的鹵素?zé)粽諑滋旄鞴枇蠌S家的摻鎵技術(shù)掌握的不一樣謹(jǐn)慎懷疑, 有的廠家的摻鎵料里面還是有不少硼摻雜劑.廠家說我們的摻鎵片是摻了鎵的呀,但沒有講不摻硼啊99%的硼,再加1%的鎵,也是摻鎵的! 光衰減問題正常摻硼電池片的衰減一般來說是什么情況,請有興趣的人來討論下:要衰減到最低,需要多久的日照?效率越高,衰減越低么?一般電池平均衰減大概是多少?不同片源的硅片,相差多大?這很難有定論,關(guān)鍵是拉晶時形成的氧沉淀的位錯的量,這決定硼氧復(fù)合的量,電致發(fā)光成像找到這一類型的位錯片子的效率都很低,退火后片子的效率會有較大幅度提高,但光照20分鐘會很快衰減。尚德的光衰

10、機(jī)?我只聽說中電有光衰的專利,尚德的就不清楚了問過專家了,正常的17%效率左右摻硼的電池片,光衰減達(dá)到0.5左右。而低效的14%左右的片子,光衰減要超過1。片源如果差一點(diǎn),17%效率的電池片,光衰減就要超過0.5這個正常范圍了。但具體達(dá)到多少,還要看片源的質(zhì)量倒底有多差。一般來說,效率高的片子,光衰減就要低一點(diǎn)。摻鎵的電池不在此例。據(jù)說其光衰減幾乎可以忽略不計??刂圃诠馑?小時后,衰減率 1.0%Suntech我的感覺是同樣的片源,中等效率的比較穩(wěn)定,如16.5的也就衰減個0.2,但17以上的高效反而衰減要有0.5,這個如何解釋?根據(jù)生產(chǎn):層壓后的電池片是有損傷的,效率越高的電池片損傷越厲害!

11、生產(chǎn)電池片的朋友可能有更全面的解釋!請?jiān)傺a(bǔ)充一下大部分還是由于BO引起的。其余是由于并聯(lián)電阻大在暗光狀態(tài)下導(dǎo)致的硅bandgap減小造成的,這個是可逆的,但并非絕對請教高手關(guān)于功率衰減的比率值!(精貼必加分)請教各位光伏高手:有沒有關(guān)于組件功率衰減的數(shù)據(jù);例如:1.組件標(biāo)稱設(shè)計功率為100W(120W,170W都可以),一個月后功率衰減%多少;二個月后功率衰減%多少;三個月后功率衰減%多少.一年后衰減%多少;有沒有一個比率?或者參考的值;2.有沒有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以證明衰減的比率這個要看具體的日照情況,非晶硅的衰減率大致在30%左右,封裝效果不好的話可能達(dá)到50%組件衰減請問組件在經(jīng)過最初的暴曬后,

12、每塊電池片的工作電壓會下降多少?電壓一般不會降。就算組件功率下降比較大,只要不是有電池完全失效,一般電壓都不會變。電壓一般降得很少,電流比較明顯組件的電壓一般是不會變化的,功率和電流會發(fā)生明顯的變化,請問做光衰減最好用什么條件我想做電池片光衰減測試,可是不知道應(yīng)該用多少瓦的什么樣的燈光,照多少小時,沒多少小時照一次?并且用PV量測效率,總是有波動,時間久,還要調(diào)機(jī)臺,對效率衰減測試都有影響。有沒有哪位給個比較完整的建議啊謝謝了鹵素?zé)? 氙燈, 都是可以的如果想做深入研究的話, 最好查閱一些文獻(xiàn)全部衰減和衰減到一定程度都分別指什么呢?據(jù)說現(xiàn)在有一種設(shè)備能使電池提前衰減到穩(wěn)態(tài),避免衰減快慢和程度的

13、電池裝在一個組件里引起的“熱斑”等現(xiàn)象,不知道大家對這個設(shè)備有沒有研究?能否討論一下?我建議用白熾燈和太陽燈組合的光源可以做衰減!或者放太陽下暴曬提前衰減到穩(wěn)態(tài),避免衰減快慢和程度的電池裝在一個組件里引起的“熱斑”等現(xiàn)象,不知道大家對這個設(shè)備有沒有研究?能否討論一下? . 還有不能提前衰減到穩(wěn)態(tài)的嗎?電池在發(fā)電過程中師一直在衰減的,目前組件廠家對電池衰減要求是10年 不超過10%,25年不超過20%。所以衰減只能相對衰減到較為平衡而已。前期衰減厲害主要是間歇氧和B,形成的彭陽鍵的原因。目前很多公司都采用近紅外的光進(jìn)行衰減,因?yàn)槠洳ㄩL的能量鵬楊建易吸收,形成衰減。關(guān)于電池片衰減原因各位高手,能幫

14、我解答一下以下問題嗎?1、電池片效率衰減的原因有哪些?(哪些因素會影響到電池片效率衰減?)2、多晶電池片為什么衰減會比單晶的要?。?、衰減公式怎么算的?及LID與TID的算術(shù)關(guān)系。感激不盡!什么情況下衰減的,是電池片線上下來就有這情況嗎?這個俺不懂。不過這個問題,很想知道答案。我來頂一下。我只知道組件層壓后會有衰減,但一般是多晶的大些。為什么會這樣,我不清楚,實(shí)際就這樣。請高手來解答。敬禮致謝!謝謝你的回復(fù),電池片衰減在生產(chǎn)線上下來之后就會發(fā)生,但衰減到一定時間后就穩(wěn)定了,退貨處理之后會恢復(fù)原先的效率退火處理之后,效率會恢復(fù)到原來的狀態(tài)。電池的衰減大小取決于硅片的雜質(zhì)如何,片子都會存在衰減,只

15、是大小不同而已,但是片子在暴曬之后會衰減完,基本穩(wěn)定了1)硅片質(zhì)量差,電池片本身的含氧量,及含硼量過高,導(dǎo)致電池出現(xiàn)較大幅度的初始光致衰減,主要原因是P型(摻硼)晶體硅片中的硼氧復(fù)合體降低了少子壽命。(輸出功率在剛開始使用的最初幾天內(nèi)發(fā)生較大幅度的下降,但隨后趨于穩(wěn)定的情況)多晶硅薄膜為什么無效率衰減問題?多晶硅薄膜為什么無效率衰減問題呢?請問:硅太陽能電池的光致衰減設(shè)備?我在組件板塊看到一個問題,十分有興趣,如下:關(guān)于光致衰減的問題最近幾年,單晶硅電池光致衰減過大的問題是一個不能回避的大問題達(dá)到6-10%;如組件公司在包裝時上下偏差組件混裝,而終端用戶安裝時未重新分檔,組件不匹配問題也引起功

16、率下降。上述兩個問題直接導(dǎo)致終端用戶電站實(shí)際發(fā)電功率比理論計算值大為減少。這是一個很實(shí)際的問題,不知各位大蝦有否好的解決辦法。謝謝!在這里,很想了解是否有設(shè)備能夠加速電池的衰老,使其快速達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),從而避免混裝問題在組件使用中的體現(xiàn)?在此謝過各位高人了!衰減不是效率虛高兩碼事 這是直拉摻硼單晶硅(P型晶體硅)的一個缺陷 解決辦法:1. 改進(jìn)控制工藝降低拉晶棒中氧的含量因?yàn)槌跏脊庵滤p衰減就是硼氧復(fù)合體降低了少子壽命.2. .現(xiàn)在已經(jīng)陸續(xù)有公司改用摻鎵來代替摻硼效果很好3.利用磁控直拉硅單晶工藝(MCZ)改進(jìn)單晶硅棒質(zhì)量4.用區(qū)熔單晶硅工藝改進(jìn)單晶棒質(zhì)量5.用摻磷的N型硅代替摻硼的P型硅 等當(dāng)

17、然 硅片 質(zhì)量電池工藝組件封裝工藝控制不好 等都會導(dǎo)致組件的早期光之衰減對于組件封裝電池片的一致性對衰減 至關(guān)重要 不僅電池的電性能要一致 (注意串并聯(lián)電阻)還要電池的衰減性能也要一致等才能保證組件性能、壽命的最優(yōu)化使用請教關(guān)于電池片厚度是否與衰減有相關(guān)性?最近聽說硅片薄的話,電池的衰減會比較快,請教這個說法是否確切,是否有缺失根據(jù)?另外請教硅片170、180、190、200大概的破片率?(只需要業(yè)內(nèi)大概的數(shù)據(jù),不需要透露你們公司的確切數(shù)據(jù),呵呵)在此感激涕零!衰減和硅片的厚度沒有直接的關(guān)系,目前的單晶工藝因?yàn)閾脚穑瑥亩鴮?dǎo)致硼氧復(fù)合成為可能,有證據(jù)證明,硼氧復(fù)合才是衰減的根本原因。硅片在任意一

18、點(diǎn)不低于180的條件下就可以了,基本上中心點(diǎn)會在185190,破片在千分之一左右。發(fā)表于 2009-4-21 14:11 只看該作者尚德從去年10月份開始倡導(dǎo)摻鎵工藝,并且到09年底,全部采購摻鎵硅片。實(shí)踐證明摻鎵的硅片衰減方面確實(shí)勝人一籌,平均在1%以內(nèi)。我這邊有摻鎵的硅片,在浚鑫做的電池和組件,實(shí)物曬了快一個月了,衰減少得很,幾乎為0。若是誰有意,我可送點(diǎn)樣片給試試,站內(nèi)發(fā)消息給我即可。昨天拜訪了夏普的日吉社長,他也同意試試我的摻鎵硅片。實(shí)驗(yàn)過,衰減確實(shí)很低樓上可透漏下價格?硅片衰減問題請教高手,硅片衰減的原因是什么,是否與拉單晶與切片相關(guān)?主要影響其的因素有哪些?謝謝大蝦賜教!現(xiàn)在主流的

19、觀點(diǎn)是硼氧合物導(dǎo)致衰減,可以肯定氧在里面確實(shí)扮演了致衰的角色。具體硼氧合物影響的程度有什么關(guān)系嗎?目前我們的單晶氧含量控制在5*10的17次方只是根據(jù)現(xiàn)象而判斷的,實(shí)際上沒有試驗(yàn)證明。事實(shí)上,也有很多說法傾向于其他深能級金屬雜質(zhì)(硼鐵或其他)導(dǎo)致的復(fù)合作用,因?yàn)槭窃诠庹障侣l(fā)生的,因此被認(rèn)為是光致衰減。外行看熱鬧,硼氧復(fù)合,金屬雜質(zhì),替位碳。衰減多少算正常,2%,3%,4%,有無標(biāo)準(zhǔn),請高人幫忙。電池片放在空氣中功率衰減?我有一批電池片未封裝放在空氣中半個月之后,重新測了一下功率,發(fā)現(xiàn)功率衰減了6%左右,敬請給為高手賜教,有什么因素導(dǎo)致地呢?謝謝!柵線氧化了 最大因素對,電池是需要密封的柵線

20、出現(xiàn)了問題。光致衰減是一個因素,柵線氧化在室溫下能夠發(fā)生嗎?大家討論一下不要怪銀柵線啊(沒附著好除外),銀是很穩(wěn)定的金屬,空氣中不會氧化,常見有表面輕微發(fā)黃(硫化),輕輕擦掉測量接觸的表面端,體電阻無變化.鋁背場倒是容易吸潮氧化的,賤金屬不穩(wěn)定的.銀穩(wěn)定不會氧化,時鋁氧化的銀穩(wěn)定?我不記得是無機(jī)化學(xué)是這么講的!純銀在空氣中會氧化,你的銀首飾放置一段時間以后表面會發(fā)黑,那就是氧化層,擦掉表面氧化層以后會還原銀的本色,不過氧化層會阻止內(nèi)部繼續(xù)氧化,和氧化鋁的道理一個樣。不過我們討論的是柵線,不是純銀,柵線放置久了就會發(fā)黃,尤其是南方,空氣中水分很大,尤其要注意,一般來講電池片不允許直接暴露在空氣中

21、超過48小時。置于衰減的問題,金屬只是一個方面,還有H溢出等各方面的綜合原因。而且也不單單是電池片如此,硅片和半成品也是如此,去完P(guān)SG的硅片和做完減反射膜后的片子都不能直接暴露在空氣中太久,以上兩者建議不要超過2個小時。9樓版主說得很詳細(xì)了,但其中一點(diǎn),做完減反射膜后,片子放置在空氣中可以比去PSG后更久。我認(rèn)為只要不超過48小時,都沒有關(guān)系。因?yàn)殄冣g化膜后,片子表面的化學(xué)活性大大降低,化學(xué)穩(wěn)定性增強(qiáng),比較不容易被氧化。這點(diǎn)我有經(jīng)過多次試驗(yàn)證明,取同一批片子,一半即時流入下一道,另一半2天后進(jìn)行印刷燒結(jié),所得到的測試結(jié)果均無差別。如果有差別,我認(rèn)為會是膜的質(zhì)量不好所導(dǎo)致。不知道那一半是怎么放

22、置的,注意我說的是直接暴露,假如你是放在盒子里,那就另當(dāng)別論了。我的意思是,你放置在花籃里或者直接放在舟里的時間太久。當(dāng)然這還和你的環(huán)境情況有關(guān),我建議是放在氮?dú)獗Wo(hù)柜里面,這樣會好得多。嗯,放在花籃和舟里自然是不宜放太久的。視絲印設(shè)備的不同,比如絲印設(shè)備如DEK,則鍍膜后工人會放到花籃里流入絲印,這樣需要迅速印刷、燒結(jié);而絲印設(shè)備如BACCINI的話則會放到盒子里,這樣就可以放比較久了感覺大家好像都忽略了一個問題:電池片的貯存能力,譬如原料的電阻率很低,而擴(kuò)散結(jié)形成的很淺,當(dāng)時測試的時候可能效率很好,過一段時間后,自然會衰退的!同感,我做過一次實(shí)驗(yàn),單晶鍍膜后,我放置一星期,效率變化不是很大

23、,還能達(dá)到17.5%以上,也有更好一點(diǎn)的,做成電池后隔一星期再測,效率有0.10.2%下降,不過還是比較穩(wěn)定;多晶就不同了,鍍膜后我放一星期,效率大幅度下降,只有1314%左右,不過隔一個星期再測,效率下降的不是很明顯,不過也已經(jīng)夠低的了,呵呵!柵線氧化(發(fā)黃)的可能性佷大lz你可以用較低的溫度500-600oC再燒一邊測一下太陽能組件的衰減問題討論在組件制造過程中,我曾讓我們的技術(shù)工程師把不同電池片廠商的組件(廠家分別為常州和河北的,數(shù)量分別是5塊),拿出去做了個暴曬試驗(yàn),測試其衰減度。結(jié)論為:1。前者衰減第一天衰減了3.5%,其后三天基本穩(wěn)定,第五天再次衰減1%,總衰減度4.5%;2。后者

24、衰減第一天衰減了0.5%,當(dāng)中有反彈一次,其后也有微量下降,短路電流變化較為明顯,從5.28A,下降到5.12A,功率五天后下降比列為2%,但第四,第五天衰減比較小。兩者都具有不同程度的衰減,當(dāng)時我們停止了第一家電池的供貨,采用了第二家。據(jù)稱兩家都采取同樣的減反射膜工藝,在硅襯底上直接放置金屬氧化物膜,但是其中一家告訴我們采用了隔離層,可以確保電池的Rs在一個穩(wěn)定的范圍內(nèi)。而另一家則沒有,出廠時測試電池片功率奇高,但是到客戶工廠就立即變低,其短路電流值也迅速下降。不知道有沒有人遇到過類似情況,希望和大家一起討論學(xué)習(xí)。我個人認(rèn)為硅片的衰減的問題是已經(jīng)有了比較清楚的認(rèn)識,在組件早期的衰減中是占主導(dǎo)

25、地位的,但是隨著時間的增加,光衰減的問題就與組件工藝有關(guān)了,比如由于長時間下電池的Rs退化導(dǎo)致短路電流下降,因此光衰減的情況是要分時間段分析的,不能簡單歸為硅片的問題!金屬硅組件的衰減已經(jīng)被國外證實(shí),遠(yuǎn)比晶體硅要快,而且轉(zhuǎn)換效率也較低。順風(fēng)的電池我不知道有誰用過沒,在做試驗(yàn)的過程中,實(shí)測衰減度要比一般的電池快些。電池廠家之間的差距很大!參差不齊??!選擇合適的供應(yīng)商才行!單晶硅太陽能電池 效率衰減各位大俠突然想起個問題, 現(xiàn)在世界上單晶硅電池的最高轉(zhuǎn)換記錄是南京中電的趙博士創(chuàng)造的 24.7%是不是單晶硅電池的瓶頸是17%也就是說到了17% 以上 衰減的快,損失的多?是啊,沒什么必然聯(lián)系,尚德?lián)芥?/p>

26、的電池不是做到17以上了么歡迎討論謝謝電池片效率衰減測試問題問一下有沒有人做電池片衰減方面的試驗(yàn),你也是直接在太陽下曝曬電池片前后效率變化嗎?有公司用燈光光照裝置來做,這個裝置哪里有賣?一般情況下,我們公司都是放在外面利用太陽光進(jìn)行衰減的。不過我總得的不是太科學(xué),對當(dāng)天的副照度還有放外面多少小時。這些都要認(rèn)真的計算,而我們就是這樣太陽好就放在外面散散。其實(shí)都可以了現(xiàn)在國內(nèi)好像還沒有個規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)而一般來說,電池片的衰減都是會逐漸趨向穩(wěn)定的光強(qiáng)的大小只是影響了衰減的時間關(guān)鍵是電池質(zhì)量不好,也就是鈍化不好,所引起的冶金級硅電池轉(zhuǎn)換率會衰減嗎?如題。大家都說冶金級硅電池轉(zhuǎn)換率會衰減,有做過實(shí)驗(yàn)?有相關(guān)資

27、料?衰減周期情況?請知道的朋友談?wù)?,大家交流!會衰減的光照也會形成BO復(fù)合中心含氧量太大了,應(yīng)該衰減嚴(yán)重一些強(qiáng)光衰減兩小時即可在照度大于500mw/cm2的強(qiáng)度下進(jìn)行12小時的試驗(yàn),我公司生產(chǎn)的全冶金法多晶硅即見3%的衰減,之后穩(wěn)定。目前正在進(jìn)行全天候的日常陽光照射的衰減試驗(yàn)觀察,到目前為止,已經(jīng)兩個月,未見進(jìn)一步衰減。該電池組建采用從金屬硅經(jīng)過物理法提純的工藝,之后經(jīng)過單晶拉晶切片制作。初始效率15.9016.11%(共100片),強(qiáng)光照射后一度衰減到12.7%,但隨后回升,再繼續(xù)強(qiáng)光照射穩(wěn)定在13%左右.在日光下,效率基本穩(wěn)定在15%左右。測試單位:中山大學(xué)和廈門大學(xué),試驗(yàn)地點(diǎn)在上海.如何

28、改善聚光硅電池衰減大的問題個人以為一條對CPV 硅電池很有用的消息尚德已經(jīng)嘗試普通電池的晶體硅片中摻雜Ga來實(shí)現(xiàn)對電池衰減的改善(避免摻硼氧化引起的衰減),據(jù)說已經(jīng)取得明顯效果,真是一個很重大的改進(jìn),增強(qiáng)了電池的穩(wěn)定性能?;蛟S在CPV上也可以借用,那么高聚光下的衰減也就減少,真是好事一件。功勞大大的!值得關(guān)注的新技術(shù)。對于聚光硅電池廠家來說,值得借鑒?。ㄋp在CPV中可是個大問題)!詳情參閱:晶界等缺陷對多晶硅衰減的影響大家應(yīng)該都知道晶體硅電池電性能的衰減主要是有B-O復(fù)合體引起的,通過退火可以恢復(fù)。但是多晶硅氧濃度比單晶硅低,形成B-O復(fù)合體的概率應(yīng)該比單晶硅低,為什么相比單晶硅,多晶硅的衰

29、減仍然很高呢?# s. q/ O) V f 多晶硅的晶界、位錯等缺陷比單晶硅多很多,它可以起到吸雜的作用,那么吸雜后的缺陷對B-O復(fù)合體有什么樣的影響呢?對電池衰減的影響呢?3 Y8 S4 n |9 U請教達(dá)人,大家共同探討探討!一般而言, 多晶硅電池的衰減是比單晶硅的要低一點(diǎn)- L+ * K/ D _( h; R, a* s7 a) z8 r你說的多晶硅衰減高, 有相關(guān)數(shù)據(jù)嗎?多晶很少超過2%(做過很多的實(shí)驗(yàn))個人覺得, 2%或3%, 在本質(zhì)上并沒有明顯的區(qū)別.- h+ / x* F. j7 V q2 J% cberger測試臺本身就允許2%的偏差Rsh,Irev和衰減的幾個問題1, 為什么

30、Rsh和Irev不是完全的反比關(guān)系???比如說使用berger的測試儀。2,為啥Irev大的電池片衰減的很快,這個的原理是什么???光衰試驗(yàn)機(jī)我們正在做光衰試驗(yàn)機(jī),主要是要在30分鐘內(nèi)讓電池衰減90%可衰減量,這樣可以作為電池抽樣衰減用,每次可衰減125電池72片,有興趣的話可與sales 或hgh636聯(lián)系。標(biāo)準(zhǔn)組件衰減監(jiān)測及標(biāo)定周期標(biāo)準(zhǔn)組件本身的衰減,會影響組件生產(chǎn)中測試結(jié)果的精確性,應(yīng)該怎樣監(jiān)測標(biāo)準(zhǔn)的衰減呢?我們公司現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)組件是一年送標(biāo)定一次,周期是不是太長,老板又想一個月就標(biāo)一次,誰能告訴我怎樣的周期是比較合理的一般要一年標(biāo)定一次,但最好有兩塊可以互相標(biāo)定,或是可以拿自己測試過的組件做標(biāo)

31、定,這樣可以保證標(biāo)準(zhǔn)件的不會衰減太厲害3個月標(biāo)一次3樓的能否告知是哪個標(biāo)準(zhǔn)我傳我一份:cuixin303,另外,其中提到的每三個月核查感覺是用一級標(biāo)件核查二級標(biāo)件,那么一級標(biāo)件的衰減怎么監(jiān)控呢?為什么我們一年后的1級標(biāo)件去核一年前的1級標(biāo)件會衰減4W?這樣年初和年末的測試精度就有比較大的差距了。另外有沒有人交流組件衰減跟蹤的經(jīng)驗(yàn)心得?組件的標(biāo)準(zhǔn)板:1 是否不同功率的組件都要配置不動的標(biāo)準(zhǔn)板? 2 用一個標(biāo)準(zhǔn)板檢測不同功率的組件有沒有什么缺陷? 3 組件標(biāo)準(zhǔn)板應(yīng)該怎么存放?4的國家標(biāo)準(zhǔn)我找到了,名字:光伏器件 第六部分:標(biāo)準(zhǔn)太陽能電池組件的要求。我們現(xiàn)在準(zhǔn)備以同一型號組件的平均功率作為標(biāo)準(zhǔn)組件標(biāo)

32、定功率的參考。內(nèi)的話天津十八所和北京電工所,國外的話德國ISE實(shí)驗(yàn)室和美國NREL都是比較權(quán)威的機(jī)構(gòu)!衰減這個問題現(xiàn)在全球都有,主要原因是電池片制造過程中,摻雜物引起,比如添加了過多的氧等等.9樓說的才是正解,基本上主要與電池片生產(chǎn)過程有關(guān),摻雜物的含量都會引起衰減,其他如EVA,焊接等因素造成的衰減可能性比較小。衰減主要原因1.在制作組件的過程中焊接時,一些陰裂片,虛焊造成功率衰減2.電池片自身原因3.硅片質(zhì)量問題請教組件大幅度衰減原因請教前幾天做了13塊樣品,拿了6片到外面曬了半天,結(jié)果發(fā)祥有原來的180降到160瓦,請問個位大俠,是怎么回事?第一、 測試的時候,溫度是多少。有沒有達(dá)到室溫

33、?第二、是誰家的硅片,不同的硅片廠家,做成電池后,衰減不同,有幾家的特別大。(內(nèi)部資料,不方便透露)如果測試條件相同,工藝也沒問題,那就考慮材料的問題了。樓上的,如果是材料的問題的話,衰減有什么規(guī)律?前期衰減有多劇烈?謝謝??匆豢礈y試曲線的變化就知道是為什么把兩次測試結(jié)果發(fā)過來,我給你分析:pcbs我覺得是你們的自己的問題怪不得cell廠家里面必定有裂紋因?yàn)槁犇憬榻B過了的13樓的,你好,組件在暴曬的時候?yàn)槭裁匆颜?fù)極短接?這種問題我也遇到過同樣的問題我也遇到過,也適用的晶奧的片子,組件做成后的測試結(jié)果與暴曬幾天后的測試結(jié)果能差7,8瓦,奪得能有十多瓦,做過多次試驗(yàn)都是這樣,當(dāng)時坐暴曬試驗(yàn)時正

34、負(fù)極沒有短接. 有沒有短接效果差別很大嗎?暴曬試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)上說是讓短接還是曬扳子問題請教高手指點(diǎn):曬扳子需要將正負(fù)極連接嗎?是什么原理?需要短接短接可以反映出更多的問題:焊接、熱斑等等夸張!夸張!太夸張了,兄弟,可以肯定你是沒有按標(biāo)準(zhǔn)來操作的,還是先把專業(yè)技能搞懂了在說吧?不要短路,時事社IEC61215按IEC61215的暴曬的組件正負(fù)極必須要短接的按照IEC 61215 第二版,做戶外曝曬測試不需要短接,而是接一個合適負(fù)載使組件在最大功率點(diǎn)工作。短接是第一版的要求一般來說,如果組件沒問題,即便短路曝曬也不會有這種情況我覺得如果是這么大的衰減應(yīng)該不是電池片問題,我覺得原因如下:一、兩次測試時的室溫、組件本身的溫度不一樣。二、組件生產(chǎn)中造成電池片隱裂。另,暴曬的時候不

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