直拉法單晶硅生長技術(shù)的現(xiàn)狀.doc

1、直拉法單晶硅生長技術(shù)的現(xiàn)狀摘要綜述了制造集成電路（IC）用直拉硅單晶生長的現(xiàn)狀與發(fā)展。對大直徑生長用磁場拉晶技術(shù)，硅片中缺陷的控制與利用（缺陷工程）,大直徑硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片與SOI片,太陽電池級硅單和大直徑直拉硅生長的計算機模擬，硅熔體與物性研究等進行了論述。關(guān)鍵詞：直拉硅單晶;擴散控制；等效微重力；空洞型缺陷；光電子轉(zhuǎn)換效率;硅熔體結(jié)構(gòu)一、光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，及對硅材料的前景要求,直拉法單晶硅生長技術(shù)是現(xiàn)在主流生長技術(shù)之一 光伏產(chǎn)業(yè)，是一種利用太陽能電池直接把光能轉(zhuǎn)換為電能的環(huán)保型新能源產(chǎn)業(yè)。由于從太陽光能轉(zhuǎn)換成電能的光電轉(zhuǎn)換裝置，是利用半導(dǎo)體器件的“光生伏打效應(yīng)"

2、原理進行光電轉(zhuǎn)換的，因此把與太陽能發(fā)電系統(tǒng)構(gòu)成鏈條關(guān)系的產(chǎn)業(yè)稱為光伏產(chǎn)業(yè)。光伏產(chǎn)業(yè)的鏈條,包括:硅礦-硅礦石（石英砂)-工業(yè)硅(也稱金屬硅）-多晶硅、單晶硅晶圓或多晶硅切片太陽能電池-組件-發(fā)電系統(tǒng)。工業(yè)硅的純度，一般為98-99。99%；太陽能級硅的純度，一般要求在6N級即99.9999%以上。 與其他常規(guī)能源相比，光伏發(fā)電具有明顯的優(yōu)越性:一是高度的清潔性，發(fā)電過程中無損耗、無廢物、無廢氣、無噪音、無毒害、無污染，不會導(dǎo)致“溫室效應(yīng)”和全球性氣候變化；二是絕對的安全性，利用太陽能發(fā)電，對人、動物、植物無任何傷害或損害；三是普遍的實用性，不需開采和運輸，使用方便,凡是有太陽照射的地方就能實現(xiàn)

3、光伏發(fā)電，可廣泛用于通信.交通、海事、軍事等各個領(lǐng)域，上至航天器,下至家用電器，大到兆瓦級電站，小到玩具，都能運行光伏發(fā)電；四是資源的充足性，太陽能是一種取之不盡用之不竭的自然能源。據(jù)計算，僅一秒鐘發(fā)出的能量就相當(dāng)于1.3億億噸標(biāo)準(zhǔn)煤燃燒時所放出的熱量。而到達地球表面的太陽能,大約相當(dāng)于目前全世界所有發(fā)電能力總和的20萬倍。地球每天接收的太陽能，相當(dāng)于全球一年所消耗的總能量的200倍。人類只要利用太陽每天光照的5，就可以解決和滿足全球所需能源.正因為如此,加上由于傳統(tǒng)的化石能源是不可再生資源，越來越接近枯竭，世界各國越來越達成必須加快發(fā)展新的替代能源的共識，從而加大了政策扶持的力度，世界光伏產(chǎn)

4、業(yè)呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的勢頭,光伏產(chǎn)業(yè)正在向大批量生產(chǎn)和規(guī)?；瘧?yīng)用發(fā)展，其運用幾乎遍及所有用電領(lǐng)域。從整體來看，世界各國對太陽能光伏發(fā)電的政策扶持力度在逐年加大。各國的補貼政策主要分為兩類：一類是對安裝光伏系統(tǒng)直接進行補貼，如日本；另一類是對光伏發(fā)電的上網(wǎng)電價進行設(shè)定,如德國、西班牙等國。而美國加利福尼亞州，則是將兩種政策混合執(zhí)行。光伏科技的進步,使光電轉(zhuǎn)換效率不斷提高、光能發(fā)電成本不斷降低。技術(shù)進步是降低光伏發(fā)電成本，提高光能利用效率、促進光伏產(chǎn)業(yè)和市場發(fā)展的重要因素。幾十年來圍繞著降低成本的各種研究開發(fā)項工作取得了顯著成就，表現(xiàn)在電池效率不斷提高。硅片厚度持續(xù)降低、產(chǎn)業(yè)化技術(shù)不斷改進等方面，對降

5、低光伏發(fā)電成本起到了決定性的作用.多晶硅是太陽能電池必不可少的基礎(chǔ)材料,其占到太陽能電池成本的80，每生產(chǎn)1兆瓦太陽能電池需要1214噸多晶硅。多晶硅主要采用化學(xué)提純、物理提純兩種方法進行生產(chǎn)，其中化學(xué)提純方法主要有西門子法（氣象沉淀反應(yīng)法)、硅烷熱分解法、流態(tài)化床法，物理提純方法主要有區(qū)域熔化提純法（FZ）、定向凝固多晶硅錠法（籌造法）等等。二、直拉法單晶生長技術(shù)的機械設(shè)備上海漢虹的FTCZ2008A、FT-CZ2208AE、FT-CZ2208A，西安理工大學(xué)的TDR80A-ZJS、TDR80BZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS，

6、美國KAYEXCG3000、CG6000、KAYEX100PV、KAYEX120PV、KEYEX150，Vision300型,投料量分別為30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg,以及其他廠家的部分單晶生長爐。其中西安理工大學(xué)的單晶拉制爐作為國內(nèi)自主創(chuàng)新的產(chǎn)品，有很大的優(yōu)越性。TDLFZ35型區(qū)熔單晶爐TDL-FZ35型區(qū)熔單晶爐，是在高純氮氣環(huán)境中，用單匝高頻感圈加熱，對多晶體棒進行區(qū)域熔煉，達到提供并用FZ法拉制高純無位錯大直徑(34)單晶硅的設(shè)備。獲省級科技進步三等獎。該設(shè)備的主要性能指標(biāo)如下:晶體直徑：34(75100mm)晶體長度：1000mm高頻發(fā)生器功率

7、：60KW晶軸拉速范圍：0。520mmminTDL（R）-J40型光學(xué)晶體爐內(nèi)容簡介：該爐是用直拉法控制激光固體材料(如釔鋁石榴石,鋁酸釔等)單晶體的專用設(shè)備。它可以在大氣或充入各種純凈保護氣體下工作。曾獲機械工業(yè)部和陜西省科技進步二等獎。該設(shè)備的主要性能指標(biāo)如下:爐室尺寸：400mm采用中頻加熱電源:20KW 2500HZ采用電阻加熱電源:42KVA最高加熱溫度：2100最大投料量:3kg籽晶在爐內(nèi)行程:300mmTDR(L)J60型光學(xué)晶體生長設(shè)備主要內(nèi)容:TDR（L）-J60型光學(xué)晶體生長設(shè)備是在高真空、保護氣體條件下以石墨電阻或以中頻感應(yīng)加熱方法將原材料熔化，用直拉法生長紅寶石、藍寶石

8、、YAG、化學(xué)計量比鈮酸鋰等光學(xué)晶體的設(shè)備.技術(shù)水平：TDR(L）J60型光學(xué)晶體生長設(shè)備具有穩(wěn)定可靠的低速運動性能、程序控制工作速度的變化功能、上稱重計算機自動控制直徑功能或下稱重計算機自動控制直徑功能，綜合性能達到了國際先進國內(nèi)領(lǐng)先水平，具有自主的知識產(chǎn)權(quán)。主要技術(shù)參數(shù)：1熔料量： 10kg2晶體直徑： 3”3加熱功率 30kW4最高加熱溫度 21005主爐室尺寸600×900mm6冷爐極限真空度 3Pa7充氣壓力0。08MPaTDR-62CP型單晶爐內(nèi)容簡介:TDR62CP型單晶爐，是在惰性氣體環(huán)境中，以石墨電阻加熱器將硅材料熔化，用軟軸直拉法生長無位錯單晶的設(shè)備.它可以生長大

9、規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量單晶.這種單晶爐能夠使用12的石英坩堝，投料20kg，拉制4或5的單晶，其最大裕度可允許使用14的石英坩堝，投料30kg拉制6的單晶。采用計算機控制等徑生長晶體。該設(shè)備的主要性能指標(biāo)如下:投 料 量：30kg晶體規(guī)格：5籽晶爐內(nèi)行程：2200mm最大功率:130kwTDRGY652型高壓單晶爐主要內(nèi)容:TDR-GY652型高壓單晶爐室在惰性保護氣體氬氣高壓條件下，采用石墨電阻加熱方式,將GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法從熔體中拉制大直徑（4"6”） GaAs、InP單晶的專用設(shè)備。技術(shù)水平：TDRGY652型高壓單晶爐是目前國際上最大的GaAs、I

10、nP單晶制備設(shè)備，具有先進的上稱重計算機自動控制直徑功能、加熱溫度自動控制功能、各種安全自動保護功能，具備三段加熱能力，可滿足生長6” GaAs單晶的能力。綜合性能達到了國際先進國內(nèi)領(lǐng)先水平，具有自主的知識產(chǎn)權(quán).主要技術(shù)參數(shù)：1熔料量: 40kg2晶體直徑: 6"3加熱功率 120×55×35kW4最高加熱溫度 16005主爐室尺寸652×1000mm6冷爐極限真空度 1Pa7充氣壓力10MPaTDR70A（B）型單晶爐主要內(nèi)容：TDR-70A型單晶爐是軟軸提拉型人工晶體生長設(shè)備,是在惰性氣體環(huán)境中以石墨電阻加熱器將硅半導(dǎo)體材料熔化，用直拉法生長無位錯硅

11、單晶的設(shè)備，它可生產(chǎn)太陽能電池用的6硅單晶和大規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量硅單晶。技術(shù)水平：該產(chǎn)品采用了磁流體密封技術(shù)、浮動式翻版隔離閥、拱形封頭式爐蓋結(jié)構(gòu)、浮動式提升結(jié)構(gòu)等先進技術(shù)，采用計算機自動控制直徑系統(tǒng) ，綜合性能達到了國際先進國內(nèi)領(lǐng)先水平，具有自主的知識產(chǎn)權(quán)。主要技術(shù)參數(shù):熔料量： 60kg （18 ”熱系統(tǒng)）n晶體直徑： 6 " -6。5 ”nTDR70A 圓筒副室(TDR70B 開門副室）n1加熱功率 120kWn2最高加熱溫度 1600n11冷爐極限真空度 1Pan12主爐室尺寸 700×1000n14翻版閥通徑 200mmTDR-80A（B）型單晶爐主要內(nèi)容

12、：TDR80A型單晶爐是軟軸提拉型人工晶體生長設(shè)備，是在惰性氣體環(huán)境中以石墨電阻加熱器將硅半導(dǎo)體材料熔化，用直拉法生長無位錯硅單晶的設(shè)備，它可生產(chǎn)太陽能電池用的6硅單晶和大規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量硅單晶。技術(shù)水平：該產(chǎn)品采用了磁流體密封技術(shù)、浮動式翻版隔離閥（或旋蓋式隔離閥）、拱形封頭式爐蓋結(jié)構(gòu)、浮動式提升結(jié)構(gòu)等先進技術(shù)，采用計算機自動控制直徑系統(tǒng) ,綜合性能達到了國際先進國內(nèi)領(lǐng)先水平，具有自主的知識產(chǎn)權(quán).主要技術(shù)參數(shù):n熔料量： 60kg （18 "熱系統(tǒng))n晶體直徑: 8 "nTDR80A 圓筒副室(TDR80B 開門副室)n1加熱功率 160kWn2最高加熱溫度 1

13、600n11冷爐極限真空度 1Pan12主爐室尺寸 800×1000n14翻版閥通徑 260mm而上海漢虹是上海申和熱磁電子有限公司和日本磁性技術(shù)株式會社合資企業(yè)，在單晶爐制作,研發(fā)等方面有很強的實力，其單晶爐自動化程度較高三、單晶硅生長技術(shù)目前，生產(chǎn)單晶硅的方法主要有直拉法,區(qū)熔法,其他方法如基座法,片狀生長法，氣象生長法，外延法等，都因各自的不足未能被普遍推廣.直拉法和區(qū)熔法比較，以直拉法為主要，它投料多,生產(chǎn)的單晶直徑大，設(shè)備自動化程度高，工藝比較簡單，生產(chǎn)效率高。直拉法生產(chǎn)的單晶硅，占世界單晶硅總量的70%以上。直拉法又稱切克勞斯基法，它是在1917年有切克勞斯基（Czoch

14、ralski)建立起來的一種晶體生長方法，簡稱CZ法,CZ法的特點是在一個直通型的熱系統(tǒng)中，用石墨電阻加熱，將裝在高純石英坩堝中的多晶硅融化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉(zhuǎn)動籽晶，再反向轉(zhuǎn)動坩堝,籽晶緩慢向上提升,經(jīng)過引晶、放大、轉(zhuǎn)肩、等徑生長、收尾等過程,一支單晶體就生長出來了.直拉法的基本過程從拆爐、裝爐、單晶硅生長完畢到停爐稱為拉晶工藝；原材料的腐蝕、清洗等稱為備料工藝；拆爐、裝爐、抽空、熔料、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長、收尾、降溫、停爐依次進行是拉晶工藝的基本過程1.拆爐的目的是為了取出晶體,清除爐腔內(nèi)的揮發(fā)物，清除電極及加熱器、保溫罩等石墨件上的附著物、石英碎片、石墨顆粒、石

15、墨氈塵埃等雜物。拆爐中要穿戴好高純工作服，安步驟操作2.裝爐裝爐要按拆爐的相反順序依次裝入石墨件，裝完后要檢查是否準(zhǔn)確無誤,裝石英坩堝時要確定石英坩堝質(zhì)量,摻雜劑要記得放入，裝料也要按照有關(guān)規(guī)3。抽空通過機械泵對爐室進行抽空，以保證單晶硅在減壓狀態(tài)下進行單晶生長，一般在2030min內(nèi)將真空值抽到5pa以下4。熔料故名思意就是將裝入的多晶硅融化，熔化過程中要勤觀察，發(fā)現(xiàn)掛邊搭橋硅跳過流報警超溫報警要及時處理5.引晶：通過電阻加熱，將裝在石英坩堝中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔點的溫度，將籽晶浸入熔體，然后以一定速度向上提拉籽晶并同時旋轉(zhuǎn)引出晶體; 6. 縮頸:生長一定長度的縮小的細長頸的晶體，

16、以防止籽晶中的位錯延伸到晶體中； 7. 放肩：將晶體控制到所需直徑； 8. 等徑生長：根據(jù)熔體和單晶爐情況,控制晶體等徑生長到所需長度；9。 收尾：直徑逐漸縮小,離開熔體10。 降溫：降級溫度，取出晶體,待后續(xù)加工。(一）直拉法（CZ法)直拉法，也叫切克勞斯基（Czochralsik)方法，此法早在1917年由切克斯基建立的一種晶體生長方法，后來經(jīng)過很多的人的改進,成為現(xiàn)在制備單晶硅的主要方法.用直拉法制備單晶硅時，把高純多晶硅放入高純石英坩堝，在硅單晶爐內(nèi)熔化;然后用一根固定在籽晶軸上的籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便在籽晶下端生長。直拉法設(shè)備和工藝比較簡單，容易

17、實現(xiàn)自動控制；生產(chǎn)效率高，易于制備大直徑單晶；容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低阻單晶。但用此法制單晶時，原料易被坩堝污染，硅單晶純度降低，拉制的硅單晶電阻率大于50歐姆·厘米,質(zhì)量很難控制.(二)懸浮區(qū)熔法（區(qū)熔法，或叫FZ法)懸浮區(qū)熔法比直拉法出現(xiàn)晚，W·G·Pfann1952年提,P·H·keck等人1953年用來提純半導(dǎo)體硅，現(xiàn)在,區(qū)熔法正發(fā)展成為單晶硅生產(chǎn)的一種重要方法.炫懸浮區(qū)熔法是將多晶硅棒用卡具卡住上端，下端對準(zhǔn)籽晶，高頻電流通過線圈與多晶硅棒耦合，產(chǎn)生渦流，使多晶棒部分熔化，接好籽晶，自下而上使硅棒熔化和進行單晶生長，用此法制

18、得的硅單晶叫區(qū)熔單晶。區(qū)熔法不使用坩堝,污染少，經(jīng)區(qū)熔提純后生長的硅單晶純度較高，含氧量和含碳量低。高阻硅單晶一般用此法生長。目前區(qū)熔單晶應(yīng)用范圍較窄，不及直拉工藝成熟,單晶中一些結(jié)構(gòu)缺陷沒有解決。（三）基座法:基座法是既像區(qū)熔法又像直拉法的一種拉制單晶方法。用卡具將多晶棒下端卡住，高頻線圈在多晶硅棒上端產(chǎn)生熔區(qū)，由上方插入籽晶，將籽晶慢慢向上提起,生長出單晶.基座法制備的單晶純度高，生長速度快,污染小能較好的控制電阻率。但此法工藝不成熟,很難生產(chǎn)大直徑硅單晶。(四）片狀單晶生長法（EFG生長法）片狀單晶生長法是近幾年發(fā)展的一種單晶生長技術(shù)。將多晶硅放入石英坩堝中,經(jīng)石墨加熱器加熱熔化，將用石

19、墨或者石英制成的有狹縫的模具浸在熔硅中,熔硅依靠毛細管作用，沿狹縫升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出。生長片狀單晶拉速可達50毫米/分。片狀單晶生長法現(xiàn)在多采用橫向拉制。將有一平缺口的石英坩堝裝滿熔硅，用片狀籽晶在坩堝出口處橫向引晶,快速拉出片狀單晶.片狀單晶橫向拉制時結(jié)晶性能好，產(chǎn)生連續(xù)，拉速快，可達20厘米/分.片狀單晶表面完整,不須加工或少許加工就可制做器件；省掉部分切磨拋工藝，大大提高了材料的利用率。片狀單晶拉制工藝技術(shù)高，難度大，溫度控制非常精確，片狀單晶工藝技術(shù)目前處于研究階段。(五）蹼狀單晶生長法：蹼狀單晶生長法是在枝蔓上生長單晶的一種方法。利用雙晶枝蔓做籽晶。引晶時在枝蔓

20、上長出長六邊形的所謂“扣子”，在拉力作用下，扣子的兩個夾角處長出兩根平行枝蔓，熔體在枝蔓中間在表面張力和重力作用下向下滑動，形成像鴨蹼狀單晶.蹼狀單晶表面光潔度好，不需切磨，材料利用率高.但生長工藝復(fù)雜，工藝不成熟,目前處于研究階段。（六)氣相生長法氣相法生長單晶和三氯氫硅氫還原生長多晶相似。在適當(dāng)溫度下，三氯氫硅和氫氣作用，在單晶籽晶上逐漸生長出單晶。氣相生長法工藝流程簡單,污染少，單晶純度較高，但是生長速度慢，周期長，生產(chǎn)條件不易控制，生長的單晶質(zhì)量較差。（七)鑄錠法用鑄錠法生長單晶是國外近幾年發(fā)展的一種生長硅單晶方法。它像金鑄錠一樣生長硅單晶，此法生長硅單晶雖然工藝流程簡單，生長速度快，

21、成本低，但是生長單晶質(zhì)量差。一般用于制造太陽能電池器件.(八）液相外延生長法用外延法生長單晶，有氣相外延和液相外延兩種方法。它們都是在一定條件下，在經(jīng)過仔細加工的單晶片襯底上，生長一層具有一定厚度,一定電阻率和一定型號的完整單晶層，這種單晶生長過程叫外延.通過氣相在襯底上生長外延層叫氣相外延，通過液相在襯底上生長外延層叫液相外延.外延生長可以改善單晶襯底表面性能，提高單晶電子特性.外延生長速度一般很慢.四、單晶硅生產(chǎn)過程中對周圍環(huán)境的影響（1）廢水：生產(chǎn)工藝廢水主要包括:單晶硅片去損傷層及表面制絨產(chǎn)生三股廢水，分別是：含硅酸鈉酸廢水a(chǎn)、堿性清洗廢水b、含氟酸性廢水c;多晶硅片去損傷層及表面制絨

22、產(chǎn)生兩股廢水，分別是：酸性清洗廢水d、中和清洗廢水e;濕法刻蝕及二次清洗產(chǎn)生的含氟清洗廢水f；尾氣處理后排放的廢水g；純水制備產(chǎn)生的廢水h；車間地面及設(shè)備清洗廢水i。（2)廢氣：主要產(chǎn)生工藝廢氣，產(chǎn)生工序為去損傷層及表面制絨工序、擴散制結(jié)工序、濕法刻蝕、鍍成反射膜工序以及快速燒結(jié)工序、組件封裝等6個工序 （3）噪聲：噪聲源主要為空壓機系統(tǒng)、冷卻塔、風(fēng)機、循環(huán)水泵機組及生產(chǎn)車間的機械加工設(shè)備運行時產(chǎn)生的噪聲.（4）固廢：在生產(chǎn)過程中的固體廢物主要原材料及成品檢測工序產(chǎn)生的少量廢硅片及硅片邊角料、原材料拆卸及使用完后產(chǎn)生的廢包裝材料。廢水處理過程中,經(jīng)過pH調(diào)節(jié)，加入氯化鈣，將產(chǎn)生的SiO2懸浮顆

23、粒去除，同時將F和SiO3-形成CaF2及硅酸鈣沉淀去除五、光伏產(chǎn)業(yè)政策趨向    世界各國“西方削弱、東方擴張”的光伏政策趨勢逐步明朗：     意大利自6月1日起給予度電0。25歐元的上網(wǎng)電價，但不設(shè)裝機上限.德國將于7月1日調(diào)整光伏上網(wǎng)電價，新電價將參考3月至5月間光伏安裝量來制定，最高下調(diào)15。法國自3月10日起補貼削減約20，并設(shè)置500MW安裝上限。而印度則下調(diào)了光伏產(chǎn)品的關(guān)稅，美國、加拿大等新興太陽能市場也不斷出臺的支持政策.以目前意大利、德國等國家的最新政策判斷，其光伏行業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)平穩(wěn)的市場化過渡。

24、     中國太陽能定位升級,行業(yè)整頓先行：2011年1月，全國能源工作會議首次將光伏產(chǎn)業(yè)定位為中國先進的裝備制造產(chǎn)業(yè)和新興能源支柱產(chǎn)業(yè).2010年國內(nèi)光伏裝機量超過380MW,同比增長約180%。我們研判，20112012年在太陽能電站特許權(quán)招標(biāo),金太陽能示范工程，光電建筑應(yīng)用一體化示范，以及各地方政府示范項目的驅(qū)動下，國內(nèi)光伏裝機容量未來兩年將保持翻番增長。而2011年1月出臺的多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件有助于國產(chǎn)多晶硅降低成本和能耗,引導(dǎo)行業(yè)長期健康發(fā)展。     日本核危機有望提速太陽能發(fā)展:日本核危機引發(fā)世界各國

25、的緩核、停核政策。據(jù)了解，到2020年全球核能總裝機規(guī)劃為8.7億千瓦（870GW），截至2010年底全球已有約3.7億千瓦核電裝機投入運行。如果此次日本核泄漏危機使全球未來核能新增裝機容量下降約20%，則會出現(xiàn)約1億千瓦（100GW）的電力缺口。如果光伏分得其中的10%20%，其容量也很可觀。     光伏三種技術(shù)各有優(yōu)勢市場：晶硅技術(shù)已實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，技術(shù)比較成熟，市場認可度高，在未來可見的五年內(nèi)將仍占主導(dǎo)地位，享有75以上市場份額。薄膜電池因透光性較好，在建筑一體化應(yīng)用方面，還可以運用于制作各類小型太陽能應(yīng)用產(chǎn)品。聚光技術(shù)擁有較高的理論轉(zhuǎn)換效率，為光伏發(fā)電提供了長期發(fā)展的想象