第六章金氧半二極體電晶體及其電性討論2課件

1、6.2.2 MOSFET的種類N通道增強(qiáng)模式N通道空乏模式P通道增強(qiáng)模式P通道空乏模式基板為p型半導(dǎo)體，汲極與源極為n型摻雜。基板為n型半導(dǎo)體，汲極與源極為p型摻雜。6.2.2 MOSFET的種類N通道增強(qiáng)模式基板為p型半導(dǎo)體 N通道增強(qiáng)模式(Enhamcement mode)N通道增強(qiáng)模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電子反轉(zhuǎn)層，需加正閘極電壓才會有反轉(zhuǎn)層。沒接通電子由基底進(jìn)入 N通道增強(qiáng)模式(Enhamcement mode)N通道N通道空乏模式(Depletion mode)N通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電子反轉(zhuǎn)層存在。接通電子由基底進(jìn)入N通道空乏模式(Depletion mo

2、de)N通道空乏模式P通道增強(qiáng)模式P通道增強(qiáng)模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電洞反轉(zhuǎn)層，需加負(fù)閘極偏壓才會有反轉(zhuǎn)層。沒接通電子由基底流出P通道增強(qiáng)模式P通道增強(qiáng)模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電洞P通道空乏模式P通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞反轉(zhuǎn)層存在。接通電子由基底流出P通道空乏模式P通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞第六章金氧半二極體電晶體及其電性討論2課件6.2.3 臨界電壓控制基板偏壓效應(yīng)（Substrate bias effects）基板可不與源極接在一起另接偏壓，但必須保持源極到基板不為導(dǎo)通狀態(tài)（逆向偏壓），及VBS必須大於或等於零。VBS大於零時，能帶更彎

3、曲，有更多的空乏區(qū)電荷：Qsc增加，故臨界電壓也增加。VSB = 0，反轉(zhuǎn)點(diǎn)能帶圖VSB 06.2.3 臨界電壓控制基板偏壓效應(yīng)（Substrate 基板偏壓效應(yīng)（續(xù)）造成臨限電壓的增加s增加，造成S的減少，on-off特性更佳。S大S小基板偏壓效應(yīng)（續(xù)）造成臨限電壓的增加S大S小在MOS的製程上，VT受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響。例如：對NMOS（P型基板）而言，增加受體摻雜（B），可增加VT，反之，將硼摻入PMOS的基板（N型），可降低VT的絕對值。在MOS的製程上，VT受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響。調(diào)整VT的方法：1. 基板摻雜調(diào)整VT的方法：1. 基板摻雜調(diào)整VT的方法：2. 調(diào)整氧化層厚度此為場氧化層可作為相鄰MOS隔離技術(shù)的原因很大！調(diào)整VT的方法：2. 調(diào)整氧化層厚度此為場氧化層可作為相鄰MFigure 6.21. Cross section of a parasitic field transistor in an n-well structure.Figure 6.21. Cross section of調(diào)整VT的方法：3. 加基板偏壓調(diào)整VT的方法：4. 選擇適當(dāng)?shù)拈l極材料利用調(diào)整功函數(shù)差來控制VT調(diào)整VT的方法：3. 加基板偏壓調(diào)整VT的方法：4. 選擇Figure 6.22. Threshold voltage